このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018155710) 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/155710 国際出願番号: PCT/JP2018/007272
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 27.02.2018
IPC:
H01S 5/18 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C30B 29/38 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01S 5/12 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
12
周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザ(DFBレーザ)におけるもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
343
A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人:
国立大学法人京都大学 KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 京都府京都市左京区吉田本町36番地1 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501, JP
スタンレー電気株式会社 STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 東京都目黒区中目黒2-9-13 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636, JP
発明者:
野田 進 NODA Susumu; JP
田中 良典 TANAKA Yoshinori; JP
デ ゾイサ メーナカ DE ZOYSA Menaka; JP
園田 純一 SONODA Junichi; JP
小泉 朋朗 KOIZUMI Tomoaki; JP
江本 渓 EMOTO Kei; JP
代理人:
特許業務法人レクスト国際特許事務所 LEXT, P.C.; 東京都新宿区西新宿6丁目24番1号 西新宿三井ビル18階 Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2017-03550427.02.2017JP
発明の名称: (EN) SURFACE-EMITTING LASER AND METHOD FOR MANUFACTURING SURFACE-EMITTING LASER
(FR) LASER À ÉMISSION DE SURFACE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN LASER À ÉMISSION DE SURFACE
(JA) 面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法
要約:
(EN) A method for manufacturing a surface-emitting laser comprising a Group III nitride semiconductor by a MOVPE process, the method comprising: (a) a step of growing a first conductivity-type first cladding layer on a substrate; (b) a step of growing a first conductivity-type first guide layer on the first cladding layer; (c) a step of forming, in the first guide layer by etching, two-dimensionally periodic holes in a plane parallel with the first guide layer; (d) a step of closing opening portions of the holes by supplying a gas including a Group III raw material and a nitrogen source, and causing a growth such that a recess having a facet in a predetermined plane orientation is formed over the openings of the holes; and (e) a step of planarizing the recess by mass transport after the opening portions of the holes are closed. At least one of the sides of the holes after step (e) is a {10-10} facet.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un laser à émission de surface comprenant un semiconducteur au nitrure du groupe III par un procédé MOVPE, le procédé comprenant : (a) une étape de croissance d'une première couche de revêtement de premier type de conductivité sur un substrat; (b) une étape de croissance d'une première couche de guidage de premier type de conductivité sur la première couche de revêtement; (c) une étape de formation, dans la première couche de guidage par gravure, de trous périodiques bidimensionnels dans un plan parallèle à la première couche de guidage; (d) une étape consistant à fermer des parties d'ouverture des trous en fournissant un gaz comprenant une matière première de groupe III et une source d'azote, et à provoquer une croissance de telle sorte qu'un évidement ayant une facette dans une orientation de plan prédéterminée est formé sur les ouvertures des trous; et (e) une étape de planarisation de l'évidement par transport de masse après que les parties d'ouverture des trous soient fermées. Au moins l'un des côtés des trous après l'étape (e) est une facette {10-10}.
(JA) MOVPE法によりIII族窒化物半導体からなる面発光レーザを製造する製造方法であって、(a)基板上に第1導電型の第1のクラッド層を成長する工程と、(b)第1のクラッド層上に第1導電型の第1のガイド層を成長する工程と、(c)第1のガイド層に、エッチングにより第1のガイド層に平行な面内において2次元的な周期性を有する空孔を形成する工程と、(d)III族原料及び窒素源を含むガスを供給して、空孔の開口上部に所定の面方位のファセットを有する凹部が形成されるように成長を行って、空孔の開口部を塞ぐ工程と、(e)空孔の開口部を塞いだ後、マストランスポートによって凹部を平坦化する工程と、を有し、工程(e)の実行後における空孔の側面のうち少なくとも1つが{10-10}ファセットである。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)