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1. (WO2018155537) 電子ビーム装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
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国際公開番号: WO/2018/155537 国際出願番号: PCT/JP2018/006391
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 22.02.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01J 37/073 (2006.01) ,H01J 37/305 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
06
電子源;電子銃
073
電界放出,光電子放出,または2次電子放出による電子源を用いる電子銃
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
30
物体の局所的な処理のための電子ビームまたはイオンビーム管
305
鋳造する,溶かす,脱水するまたはエッチングするためのもの
出願人:
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
発明者:
佐藤 真路 SATO, Shinji; JP
代理人:
立石 篤司 TATEISHI, Atsuji; JP
優先権情報:
2017-03419524.02.2017JP
発明の名称: (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS ET PROCÉDÉ D'EXPOSITION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF
(JA) 電子ビーム装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
要約:
(EN) This electron beam apparatus comprises an optical device (84) capable of providing a plurality of light beams which can be controlled individually, a projection optical system (86) which directs the plurality of light beams from the optical device onto a photoelectric element (54), and an electron beam optical system (70) which irradiates a wafer (W) with, as a plurality of electron beams, electrons discharged from the photoelectric element (54) as a result of the plurality of light beams being directed onto the photoelectric element, wherein the intensity of at least one of the plurality of light beams directed onto the photoelectric element (54) can be varied.
(FR) L'appareil à faisceau d'électrons de l'invention comprend un dispositif optique (84) pouvant générer une pluralité de faisceaux lumineux qui peuvent être commandés individuellement, un système optique de projection (86) qui dirige la pluralité de faisceaux lumineux provenant du dispositif optique sur un élément photoélectrique (54), et un système optique à faisceau d'électrons (70) qui irradie une tranche (W) avec, en tant que pluralité de faisceaux d'électrons, des électrons déchargés de l'élément photoélectrique (54) en raison de la pluralité de faisceaux lumineux dirigés sur l'élément photoélectrique, l'intensité d'au moins l'un des faisceaux de la pluralité de faisceaux lumineux dirigés sur l'élément photoélectrique (54) pouvant être modifiée.
(JA) 電子ビーム装置は、個別に制御可能な複数の光ビームを提供可能な光学デバイス(84)と、光学デバイスからの複数の光ビームを光電素子(54)に照射する投影光学系(86)と、複数の光ビームを光電素子に照射することによって光電素子(54)から放出される電子を複数の電子ビームとしてウエハ(W)に照射する電子ビーム光学系(70)と、を備え、前記光電素子(54)に照射される前記複数の光ビームのうちの少なくとも1つの強度を変更可能である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)