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1. (WO2018155495) 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
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国際公開番号: WO/2018/155495 国際出願番号: PCT/JP2018/006239
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 21.02.2018
IPC:
C07C 39/15 (2006.01) ,C07C 39/17 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
15
すべての水酸基を非縮合環に有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
39
6員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
12
芳香環以外に不飽和結合を有しない多環式のもの
17
6員芳香環とともに他の環を含有するもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
022
キノンジアジド
023
高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
三樹 泰 MIKI, Yasushi; JP
牧野嶋 高史 MAKINOSHIMA, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi; JP
内藤 和彦 NAITO, Kazuhiko; JP
優先権情報:
2017-03224923.02.2017JP
発明の名称: (EN) COMPOUND, RESIN, COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND PURIFICATION METHOD
(FR) COMPOSÉ, RÉSINE, COMPOSITION, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE PURIFICATION
(JA) 化合物、樹脂、組成物、パターン形成方法及び精製方法
要約:
(EN) Provided are a compound, a resin and a composition, each of which has excellent solubility in a solvent and is applicable to a wet process, thereby being useful for the formation of a film for lithography having excellent heat resistance and etching resistance. Also provided is a pattern forming method which uses said composition. Additionally provided is a purification method of said compound and resin. The present invention uses a composition which contains a compound that has a specific structure and/or a resin that has a constituent unit derived from the compound.
(FR) L'invention concerne un composé, une résine et une composition, dont chacun présente une excellente solubilité dans un solvant et peut être appliqué à un procédé humide, ce qui est utile pour la formation d'un film pour la lithographie ayant une excellente résistance à la chaleur et à la gravure. L'invention concerne également un procédé de formation de motif utilisant ladite composition. L'invention concerne en outre un procédé de purification dudit composé et de ladite résine. La présente invention utilise une composition qui contient un composé présentant une structure spécifique et/ou une résine qui a une unité constitutive dérivée du composé.
(JA) 溶媒溶解性に優れ湿式プロセスへの適用可能であり、耐熱性及びエッチング耐性に優れるリソグラフィー用膜形成に有用な化合物、樹脂及び組成物を提供する。また、該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。さらに、該化合物及び樹脂の精製方法を提供する。特定の構造を有する化合物及び/又は該化合物に由来する構成単位を有する樹脂を含有する組成物を用いる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)