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1. (WO2018155478) 基板処理装置、および、処理システム
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国際公開番号: WO/2018/155478 国際出願番号: PCT/JP2018/006163
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 21.02.2018
IPC:
H01L 43/12 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 21/26 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
前原 大樹 MAEHARA Hiroki; JP
渡辺 直樹 WATANABE Naoki; JP
石井 亨 ISHII Toru; JP
中村 貫人 NAKAMURA Kanto; JP
齋藤 誠 SAITO Makoto; IE
ハーリー デヴィッド HURLEY David; IE
コルガン イアン COLGAN Ian; IE
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柏岡 潤二 KASHIOKA Junji; JP
優先権情報:
2017-03225523.02.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND PROCESSING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTÈME DE TRAITEMENT
(JA) 基板処理装置、および、処理システム
要約:
(EN) A substrate processing device (10) and a processing system (100) according to an embodiment process substrates (W) having a magnetic layer individually and are provided with: a support unit (PP) for supporting the substrates; a heating unit (HT) for heating the substrates supported on the support unit; a cooling unit (CR) for cooling the substrates supported on the support unit; a magnet unit (2) for generating a magnetic field; and a processing container (1) accommodating the support unit, the heating unit, and the cooling unit. The magnet unit includes a first end face (2a1) and a second end face (2b1) which extend in parallel. The first end face and the second end face oppose each other and are spaced apart from each other. The first end face corresponds to a first magnetic pole of the magnet unit. The second end face corresponds to a second magnetic pole of the magnet unit. The processing container is disposed between the first end face and the second end face.
(FR) L'invention, selon un mode de réalisation, concerne un dispositif de traitement de substrat (10) et un système de traitement (100) qui traitent des substrats (W) comportant individuellement une couche magnétique et qui sont pourvus : d'une unité de support (PP) servant à supporter les substrats ; d'une unité de chauffe (HT) servant à chauffer les substrats supportés sur l'unité de support ; d'une unité de refroidissement (CR) servant à refroidir les substrats supportés sur l'unité de support ; d'une unité d'aimant (2) servant à générer un champ magnétique ; et d'un contenant de traitement (1) recevant l'unité de support, l'unité de chauffe et l'unité de refroidissement. L'unité d'aimant comprend une première face d'extrémité (2a1) et une seconde face d'extrémité (2b1) qui s'étendent en parallèle. La première face d'extrémité et la seconde face d'extrémité sont opposées l'une à l'autre et sont espacées l'une de l'autre. La première face d'extrémité correspond à un premier pôle magnétique de l'unité d'aimant. La seconde face d'extrémité correspond à un second pôle magnétique de l'unité d'aimant. Le contenant de traitement est disposé entre la première face d'extrémité et la seconde face d'extrémité.
(JA) 一実施形態における基板処理装置(10)および処理システム(100)は,磁性層を有する基板(W)を枚葉に処理し,基板を支持する支持部(PP)と支持部に支持される基板を加熱する加熱部(HT)と支持部に支持される基板を冷却する冷却部(CR)と磁界を発生させる磁石部(2)と,支持部,加熱部,および冷却部を収容する処理容器(1)とを備え,磁石部は互いに並行に延びている第1の端面(2a1)と第2の端面(2b1)とを備え,第1の端面と第2の端面とは離間して向かい合い,第1の端面は磁石部の第1の磁極に対応し,第2の端面は磁石部の第2の磁極に対応し,処理容器は第1の端面と第2の端面との間に配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)