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1. (WO2018155425) 素子構造体の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/155425 国際出願番号: PCT/JP2018/005953
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 20.02.2018
IPC:
H05B 33/10 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
出願人:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ケ崎市萩園2500 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
清 健介 SEI Kensuke; JP
青代 信 AODAI Makoto; JP
高橋 明久 TAKAHASHI Hirohisa; JP
矢島 貴浩 YAJIMA Takahiro; JP
加藤 裕子 KATO Yuko; JP
代理人:
及川 周 OIKAWA Shu; JP
勝俣 智夫 KATSUMATA Tomoo; JP
土屋 亮 TSUCHIYA Ryo; JP
優先権情報:
2017-03031621.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELEMENT STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE D’ÉLÉMENT
(JA) 素子構造体の製造方法
要約:
(EN) A method for manufacturing an element structure according to the present invention comprises: a resin material formation step for forming a resin material comprising an organic compound on an uneven substrate so that at least an area around a protruding part is thicker than a flat part; and a resin material etching step for removing the resin material at the flat part while leaving part of the resin material located around the protruding part. In the resin material etching step, a change in a specific condition among conditions for performing an etching process on the resin material is detected, and the detected detection result is used as the end point of the etching process.
(FR) Un procédé de fabrication d'une structure d'élément selon la présente invention comprend : une étape de formation de matériau de résine pour former un matériau de résine comprenant un composé organique sur un substrat irrégulier de telle sorte qu'au moins une zone autour d'une partie en saillie est plus épaisse qu'une partie plate ; et une étape de gravure de matériau de résine pour retirer le matériau de résine au niveau de la partie plate tout en laissant une partie du matériau de résine située autour de la partie en saillie. Lors de l'étape de gravure de matériau de résine, un changement d'une condition spécifique parmi des conditions pour réaliser un processus de gravure sur le matériau de résine est détecté, et le résultat de détection détecté est utilisé comme point final du processus de gravure.
(JA) 本発明の素子構造体の製造方法は、凹凸がある基板に、有機物からなる樹脂材を、少なくとも凸部の周辺が平坦部より厚くなるように形成する樹脂材形成工程と、前記凸部の周辺に位置する前記樹脂材の一部を残存させ、前記平坦部の該樹脂材を除去する樹脂材エッチング工程とを含む。前記樹脂材エッチング工程は、前記樹脂材をエッチング処理する条件のうち、特定の条件の変化を検出し、検出された検出結果を該エッチング処理の終点として用いる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)