国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018155377) レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン

Pub. No.:    WO/2018/155377    International Application No.:    PCT/JP2018/005727
Publication Date: Fri Aug 31 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Feb 20 00:59:59 CET 2018
IPC: G03F 7/11
C08G 77/20
G03F 7/20
G03F 7/26
H01L 21/027
Applicants: JSR CORPORATION
JSR株式会社
Inventors: SEKO Tomoaki
瀬古 智昭
OOTSUBO Yuusuke
大坪 裕介
ISHIKAWA Masayoshi
石川 真義
TANAKA Hiromitsu
田中 博允
Title: レジストプロセス用膜形成材料、パターン形成方法及びポリシロキサン
Abstract:
溶媒耐性を維持しつつ、酸素系ガスエッチング耐性及びアルカリ性過酸化水素水による剥離性に優れるケイ素含有膜を形成することができるレジストプロセス用膜形成材料、これを用いたパターン形成方法及びポリシロキサンの提供を目的とする。本発明は、下記式(1)又は式(2)で表される第1構造単位を有するポリシロキサンと、溶媒とを含有するレジストプロセス用膜形成材料である。下記式(1)中、L1は、単結合又は炭素数1~20の2価の有機基である。R1は、エチンジイル基又は置換若しくは非置換のエテンジイル基である。L2は、単結合又は炭素数1~20の(n+1)価の有機基である。nは、1~3の整数である。R2は、極性基を含む1価の基である。下記式(2)中、L4は、単結合又は炭素数1~20の2価の有機基である。R4は、置換若しくは非置換のエチニル基又は置換若しくは非置換のエテニル基である。