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1. (WO2018155168) 炭化ケイ素基板の研磨方法
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国際公開番号: WO/2018/155168 国際出願番号: PCT/JP2018/004016
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 06.02.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
唐仁原 和馬 TOUJINBARA, Kazuma; JP
三輪 直也 MIWA, Naoya; JP
芦▲高▼ 圭史 ASHITAKA, Keiji; JP
代理人:
八田国際特許業務法人 HATTA & ASSOCIATES; 東京都千代田区二番町11番地9 ダイアパレス二番町 Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084, JP
優先権情報:
2017-03021621.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR POLISHING SILICON CARBIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE D'UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化ケイ素基板の研磨方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a method for polishing a silicon carbide substrate, with which it is possible to increase polishing speed even when using a polishing pad which normally cannot contribute to an increase in polishing speed. [Solution] This method for polishing a silicon carbide substrate comprises a primary polishing step for polishing, by means of a polishing pad, with an abrasive member A that contains abrasive grains, wherein the primary polishing step is one in which polishing takes place in association with a solid-phase reaction between the abrasive grains and the silicon carbide substrate.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un procédé de polissage d'un substrat de carbure de silicium permettant d'augmenter la vitesse de polissage même lors de l'utilisation d'un tampon de polissage qui ne peut normalement pas favoriser une augmentation de la vitesse de polissage. La solution selon l'invention porte sur un procédé de polissage d'un substrat de carbure de silicium comprenant une étape de polissage primaire consistant à polir, à l'aide d'un tampon de polissage, un élément abrasif A qui comporte des grains abrasifs, dans l'étape de polissage primaire, le polissage s'effectuant en association avec une réaction en phase solide entre les grains abrasifs et le substrat de carbure de silicium.
(JA) 【課題】通常であれば研磨速度の上がらない研磨パッドを使っても、研磨速度を上げることができる、炭化ケイ素基板を研磨する研磨方法を提供することを課題とする。 【解決手段】炭化ケイ素基板を研磨する研磨方法であって、研磨パッドを用いて、砥粒を含む研磨部材Aで研磨する一次研磨工程を含み、前記一次研磨工程が、前記砥粒と、前記炭化ケイ素基板との固相反応を伴って行う研磨である、研磨方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)