このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018155126) シリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/155126 国際出願番号: PCT/JP2018/003493
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 01.02.2018
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66
製造または処理中の試験または測定
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
斉藤 久之 SAITO Hisayuki; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2017-02966321.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR DETERMINING DEFECT REGION OF SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE DÉTERMINATION D'UNE RÉGION DÉFECTUEUSE D'UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN
(JA) シリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法
要約:
(EN) The present invention provides a method for determining a defect region of a single crystal silicon wafer, said method being characterized by measuring void defect distribution in a surface of the single crystal silicon wafer by each size by means of LST without heat treating the single crystal silicon wafer, and determining the defect region on the basis of the void defect distribution obtained by means of the measurement. Consequently, the method for determining a defect region of a single crystal silicon wafer by means of an easy method without depending on initial oxygen concentration is provided.
(FR) La présente invention concerne un procédé de détermination d'une région défectueuse d'une tranche de silicium monocristallin, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il mesure la distribution des défauts lacunaires, en fonction de chaque taille, dans une surface de la tranche de silicium monocristallin par tomographie optique diffuse sans traitement thermique de la tranche de silicium monocristallin, et en ce qu'il détermine la région défectueuse sur la base de la distribution des défauts lacunaires obtenue par ladite mesure. Par conséquent, l'invention concerne un procédé de détermination d'une région défectueuse d'une tranche de silicium monocristallin par un procédé simple et indépendamment de la concentration initiale d'oxygène.
(JA) 本発明は、シリコン単結晶ウエハの欠陥領域を判定する方法であって、前記シリコン単結晶ウエハを熱処理することなく、前記シリコン単結晶ウエハ表面のVoid欠陥分布をLSTによりサイズ別に測定し、該測定により得られたVoid欠陥密度分布から、欠陥領域を判定することを特徴とするシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法を提供する。これにより、初期酸素濃度によらず、容易な方法でウエハの欠陥領域の判定を行うことができるシリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法が提供される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)