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1. (WO2018155047) マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供
国際公開番号: WO/2018/155047 国際出願番号: PCT/JP2018/002072
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 24.01.2018
IPC:
G03F 1/48 (2012.01) ,G03F 1/20 (2012.01) ,G03F 1/24 (2012.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
38
補助的な特徴を有するマスク,例.特別なコーティング又はアライメント若しくは試験のためのマーク;その準備
48
保護コーティング
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
20
荷電粒子線の放射,例.電子線,によって画像化するためのマスク又はマスクブランク;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
22
100nm以下の波長の放射によって画像化するためのマスク又はマスクブランク,例.X線マスク,極端紫外マスク;その準備
24
反射マスク;その準備
出願人:
ＨＯＹＡ株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目１０番１号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
発明者:
野澤　順 NOZAWA, Osamu; JP
大久保　亮 OHKUBO, Ryo; JP
宍戸　博明 SHISHIDO, Hiroaki; JP
代理人:
池田　憲保 IKEDA, Noriyasu; JP
佐々木　敬 SASAKI, Takashi; JP
優先権情報:
2017-03470627.02.2017JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, METHOD FOR MANUFACTURING TRANSFER MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) A light-shielding film 2 made up of a material containing one or more elements selected from silicon and tantalum and a hard mask film 3 made up of a material containing chrome, oxygen, and carbon are laminated on a translucent substrate 1. The hard mask film 3 is a single layer film having a composition gradient portion with increased oxygen content on the surface and on the neighboring region. The maximum peak for N1s in a narrow scan spectrum obtained via X-ray photoelectron spectroscopy analysis is the lower limit of detection or less. The portions excluding the composition gradient portion of the hard mask film 3 have a 50 atom% or more chrome content, and the maximum peak for Cr2p in a narrow scan spectrum obtained via X-ray photoelectron spectroscopy analysis has a binding energy of 574 eV or less.
(FR) Selon la présente invention, un film de protection contre la lumière (2) constitué d'un matériau contenant un ou plusieurs éléments choisis parmi le silicium et le tantale et un film de masque dur (3) constitué d'un matériau contenant du chrome, de l'oxygène et du carbone sont stratifiés sur un substrat translucide (1). Le film de masque dur (3) est un film monocouche ayant une partie gradient de composition ayant une teneur en oxygène accrue sur la surface et sur la région voisine. Le pic maximal pour N1s dans un spectre de balayage étroit obtenu par analyse de spectroscopie photoélectronique par rayons X est la limite inférieure de détection ou moins. Les parties excluant la partie de gradient de composition du film de masque dur (3) ont une teneur en atomes de 50 % ou plus, et le pic maximal pour Cr2p dans un spectre de balayage étroit obtenu par analyse par spectroscopie photoélectronique à rayons X a une énergie de liaison de 574 eV ou moins.
(JA) 透光性基板１上に、ケイ素及びタンタルから選ばれる１以上の元素を含有する材料からなる遮光膜２と、クロム、酸素及び炭素を含有する材料からなるハードマスク膜３が積層されている。ハードマスク膜３は、その表面及びその近傍領域に酸素含有量が増加した組成傾斜部を有する単層膜であり、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＮ１ｓのナロースペクトルの最大ピークが検出下限値以下であり、ハードマスク膜３の組成傾斜部を除いた部分は、クロム含有量が５０原子％以上で、Ｘ線光電子分光法で分析して得られるＣｒ２ｐのナロースペクトルが５７４ｅＶ以下の結合エネルギーで最大ピークを有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)