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1. (WO2018155034) 酸化物半導体及び半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/155034 国際出願番号: PCT/JP2018/001729
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 22.01.2018
IPC:
C01G 33/00 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
C 化学;冶金
01
無機化学
G
サブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
33
ニオブ化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
出願人:
国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都千代田区霞が関1丁目3番1号 3-1,Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921, JP
発明者:
菊地 直人 KIKUCHI, Naoto; JP
相浦 義弘 AIURA, Yoshihiro; JP
三溝 朱音 SAMIZO, Akane; JP
池田 紳太郎 IKEDA, Shintarou; JP
代理人:
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
優先権情報:
2017-03211323.02.2017JP
発明の名称: (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'OXYDE ET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化物半導体及び半導体装置
要約:
(EN) Provided are: an oxide semiconductor device capable of providing a p-type semiconductor in an oxide semiconductor and having excellent transparency, mobility, and weather resistance; and a semiconductor device comprising said oxide semiconductor. This oxide semiconductor has a crystal structure including a fordite structure, comprises a composite oxide including elements Nb and Sn , and has positive holes that serve as charge carriers as a result of Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), which is the Sn4+ ratio relative to the total Sn content in the composite oxide, being 0.006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0.013.
(FR) L'invention concerne : un dispositif semi-conducteur d'oxyde capable de fournir un semi-conducteur de type p dans un semi-conducteur d'oxyde et ayant une excellente transparence, une excellente mobilité et une excellente résistance aux intempéries; et un dispositif semi-conducteur comprenant ledit semi-conducteur d'oxyde. Ce semi-conducteur d'oxyde a une structure cristalline comprenant une structure fordite, comprend un oxyde composite comprenant des éléments Nb et Sn, et présente des trous positifs qui servent de porteurs de charge en raison de Sn4+/(Sn2+ + Sn4+), qui est le rapport de Sn4+ par rapport à la teneur totale en Sn dans l'oxyde composite, étant 0,006 ≤ Sn4+/(Sn2+ + Sn4+) ≤ 0,013.
(JA) 酸化物半導体においてp型半導体を実現可能にし、透明性、移動度、耐候性等の優れた酸化物半導体及び該酸化物半導体を備える半導体装置を提供する。フォーダイト構造を含む結晶構造を有し、Nb元素とSn元素を含む複合酸化物で構成され、前記複合酸化物中の全Sn量に対するSn4+の割合であるSn4+/(Sn2++Sn4+)が0.006≦Sn4+/(Sn2++Sn4+)≦0.013であることにより、正孔が荷電担体となる酸化物半導体を実現する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)