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1. (WO2018155014) 絶縁放熱基板
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国際公開番号: WO/2018/155014 国際出願番号: PCT/JP2018/001257
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 17.01.2018
IPC:
H01L 23/13 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
発明者:
岩崎 真吾 IWASAKI,Shingo; JP
海老ヶ瀬 隆 EBIGASE,Takashi; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
PCT/JP2017/00694823.02.2017JP
発明の名称: (EN) INSULATED HEAT DISSIPATING BOARD
(FR) CARTE DE DISSIPATION DE CHALEUR ISOLÉE
(JA) 絶縁放熱基板
要約:
(EN) Provided is an insulated heat dissipating board that increases durability against a cooling/heating cycle and contributes to making a semiconductor module more compact. The insulated heat dissipating board has a ceramic substrate and a conductor layer joined to at least one main surface of the ceramic substrate. The conductor layer has an upper surface, a lower surface, and a side surface 1 that couples the upper surface and the lower surface. The ceramic substrate has: a lowermost section; a side surface 2 that couples the lowermost section and the side surface 1 of the conductor layer; and a joining surface at a higher position than the lowermost section and joined to the lower surface of the conductor layer. When the conductor layer and the ceramic substrate are observed from a cross-section parallel to both the normal direction and the thickness direction relative to a tangent to the outline of the conductor layer in the planar view: the average absolute value for the difference between an elevation angle α relative to the lower surface of the side surface 1 at the height of the lower surface and an elevation angle β relative to the joining surface of the side surface 2 at the height of the joining surface is no more than 20°; and the side surface 1 has a section further retreated in the normal direction, relative to the tangent of the outline of the conductor layer in the planar view, than the tip of the upper surface.
(FR) L'invention concerne une carte de dissipation de chaleur isolée qui augmente la durabilité par rapport à un cycle de refroidissement/chauffage et qui contribue à rendre un module semi-conducteur plus compact. La carte de dissipation de chaleur isolée comporte un substrat en céramique et une couche conductrice jointe à au moins une surface principale du substrat en céramique. La couche conductrice comprend une surface supérieure, une surface inférieure et une surface latérale (1) qui accouple la surface supérieure et la surface inférieure. Le substrat en céramique comporte : une section la plus basse ; une surface latérale (2) qui accouple la section la plus basse et la surface latérale (1) de la couche conductrice ; et une surface de jonction au niveau d'une position plus haute que la section la plus basse et jointe à la surface inférieure de la couche conductrice. Lorsque la couche conductrice et le substrat céramique sont observés à partir d'une section transversale parallèle à la fois à la direction normale et à la direction de l'épaisseur par rapport à une tangente au contour de la couche conductrice dans la vue en plan : la valeur absolue moyenne pour la différence entre un angle d'élévation α par rapport à la surface inférieure de la surface latérale (1) à la hauteur de la surface inférieure et un angle d'élévation β par rapport à la surface de jonction de la surface latérale (2) à la hauteur de la surface de jonction n'est pas supérieure à 20° ; et la surface latérale (1) présente une section plus reculée dans la direction normale, par rapport à la tangente du contour de la couche conductrice dans la vue en plan, que la pointe de la surface supérieure.
(JA) 冷熱サイクルに対する耐久性を高め、且つ、半導体モジュールの小型化に寄与する絶縁放熱基板を提供する。セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、下面と、上面及び下面を連結する側面1とを有し、前記セラミックス基板は最低部と、最低部及び前記導体層の側面1を連結する側面2と、該最低部よりも高い位置にあり、前記導体層の下面に接合する接合面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記下面の高さにおける側面1の前記下面に対する仰角αと、前記接合面の高さにおける側面2の前記接合面に対する仰角βの差の絶対値が平均で20°以下であり、側面1は前記上面の端部よりも導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向に後退した箇所を有する絶縁放熱基板。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)