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1. (WO2018154874) シリコン単結晶の製造方法、整流部材、および、単結晶引き上げ装置
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国際公開番号: WO/2018/154874 国際出願番号: PCT/JP2017/040890
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 14.11.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
02
元素
06
シリコン
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
小川 福生 OGAWA Fukuo; JP
鳴嶋 康人 NARUSHIMA Yasuhito; JP
前川 浩一 MAEGAWA Koichi; JP
川上 泰史 KAWAKAMI Yasufumi; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2017-03411624.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL, FLOW STRAIGHTENING MEMBER, AND SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM, ÉLÉMENT REDRESSEUR DE FLUX ET DISPOSITIF DE TIRAGE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の製造方法、整流部材、および、単結晶引き上げ装置
要約:
(EN) This method for manufacturing a silicon single crystal involves disposing a flow straightening member having an annular disc-shaped main body (29A) surrounding a silicon single crystal (SM) below a thermal shield (28), controlling the pressure inside a chamber to 20 kPa or more while growing the silicon single crystal (SM), keeping the flow straightening member separated from a dopant added melt (MD), introducing inert gas (G) between the silicon single crystal (SM) and the thermal shield (28), and separating the inert gas (G) into a first flowing gas (G1) and a second flowing gas (G2).
(FR) Ce procédé de fabrication d'un monocristal de silicium consiste à disposer un élément redresseur de flux ayant un corps principal en forme de disque annulaire (29A) entourant un monocristal de silicium (SM) en dessous d'un écran thermique (28), réguler la pression à l'intérieur d'une chambre à 20 kPa ou plus tout en faisant croître le monocristal de silicium (SM), maintenir l'élément redresseur de flux séparé d'une masse fondue incluant un dopant (MD), introduire un gaz inerte (G) entre le monocristal de silicium (SM) et l'écran thermique (28), et séparer le gaz inerte (G) en un premier gaz d'écoulement (G1) et un second gaz d'écoulement (G2).
(JA) シリコン単結晶の製造方法は、熱遮蔽体(28)の下方においてシリコン単結晶(SM)を囲む円環板状の本体部(29A)を備えた整流部材を配置し、シリコン単結晶(SM)の育成中に、チャンバ内部の圧力を20kPa以上に制御し、整流部材をドーパント添加融液(MD)から離間させた状態を維持し、シリコン単結晶(SM)と熱遮蔽体(28)との間に不活性ガス(G)を導入し、不活性ガス(G)を第1流通ガス(G1)と、第2流通ガス(G2)とに分離する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)