国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018154870) 金属接合方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/154870    International Application No.:    PCT/JP2017/040756
Publication Date: Fri Aug 31 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Nov 14 00:59:59 CET 2017
IPC: B23K 20/00
B23K 20/16
B23K 20/24
H01L 21/52
H01L 21/60
H05K 3/32
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: ALONG, Heng
阿龍 恒
Title: 金属接合方法、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
Abstract:
第1金属部材1a及び第2金属部材1bの表面粗さを0.5μm以上200μm以下に調整する工程と、第1金属部材1aと第2金属部材1bとの間に有機還元剤2を配置する工程と、第1金属部材1aと第2金属部材1bとの間を加熱及び加圧して接合する工程とを含む金属接合方法。