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1. (WO2018154692) 絶縁放熱基板
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国際公開番号: WO/2018/154692 国際出願番号: PCT/JP2017/006947
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 23.02.2017
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
1
印刷回路
02
細部
出願人:
日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 愛知県名古屋市瑞穂区須田町2番56号 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530, JP
発明者:
岩崎 真吾 IWASAKI,Shingo; JP
海老ヶ瀬 隆 EBIGASE,Takashi; JP
代理人:
アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL; 東京都港区新橋二丁目6番2号 新橋アイマークビル Shimbashi i-mark Bldg., 6-2 Shimbashi 2-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050004, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) INSULATED HEAT DISSIPATING BOARD
(FR) CARTE DE DISSIPATION DE CHALEUR ISOLÉE
(JA) 絶縁放熱基板
要約:
(EN) Provided is an insulated heat dissipating board capable of both ensuring electrical insulation properties between adjacent conductor layers and increasing the bonding area of a semiconductor chip. The insulated heat dissipating board has a ceramic substrate and a conductor layer bonded on to at least one main surface of the ceramic substrate. The conductor layer has: an upper surface; a lower surface bonded to the ceramic substrate; and side surfaces coupling the upper surface and the lower surface. When the conductor layer and the ceramic substrate are observed from a cross-section parallel to both the normal direction and the thickness direction relative to a tangent to the outline of the conductor layer in the planar view: the tip of the upper surface is further retreated in the normal direction of the conductor layer than the tip of the lower surface; the side surface has curved line outline recessed inwards and having a portion retreated further in the normal direction of the conductor layer than the tip of the upper surface; the coupling section between the upper surface and the side surface is inscribed in the tip of the upper surface; and the insulated heat dissipating board has a rounded shape whereby the average maximum radius R of a circle that can be formed on the inside of the upper surface and the side surface is 0.1 µm ≤ R ≤ 5 µm.
(FR) L'invention concerne une carte de dissipation de chaleur isolée susceptible à la fois d'assurer des propriétés d'isolation électrique entre des couches conductrices adjacentes et d'augmenter la zone de liaison d'une puce semi-conductrice. La carte de dissipation de chaleur isolée comporte un substrat en céramique et une couche conductrice collée sur au moins une surface principale du substrat en céramique. La couche conductrice comprend : une surface supérieure ; une surface inférieure collée au substrat en céramique ; et des surfaces latérales accouplant la surface supérieure et la surface inférieure. Lorsque la couche conductrice et le substrat céramique sont observés à partir d'une section transversale parallèle à la fois à la direction normale et à la direction de l'épaisseur par rapport à une tangente au contour de la couche conductrice dans la vue en plane : la pointe de la surface supérieure est davantage reculée dans la direction normale de la couche conductrice que la pointe de la surface inférieure ; la surface latérale présente un contour de ligne courbe reculé vers l'intérieur et ayant une partie plus reculée dans la direction normale de la couche conductrice que la pointe de la surface supérieure ; la section d'accouplement entre la surface supérieure et la surface latérale est inscrite dans la pointe de la surface supérieure ; et la plaque de dissipation de chaleur isolée possède une forme arrondie moyennant quoi le rayon maximal moyen R d'un cercle qui peut être formé sur l'intérieur de la surface supérieure et de la surface latérale est de 0,1 µm ≤ R ≤ 5 µm.
(JA) 隣接する導体層間の電気絶縁性を確保しながらも、半導体チップのボンディングエリアを大きくすることのできる絶縁放熱基板を提供する。セラミックス基板と、該セラミックス基板の少なくとも一方の主表面上に接合された導体層とを有する絶縁放熱基板であって、前記導体層は上面と、前記セラミックス基板に接合する下面と、上面及び下面を連結する側面とを有し、導体層とセラミックス基板を導体層の平面視輪郭の接線に対する法線方向及び厚み方向の両方に平行な断面で観察したとき、前記上面の先端は前記下面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退しており、前記側面は前記上面の先端よりも導体層の前記法線方向に後退した箇所を有する内側に窪んだ湾曲線状の輪郭を有しており、前記上面と前記側面の連結部は、前記上面の先端に内接し、且つ、前記上面及び前記側面の内側に形成することのできる円の最大半径Rが平均で0.1μm≦R≦5μmとなるような丸み形状を有する絶縁放熱基板。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)