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1. (WO2018154687) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/154687 国際出願番号: PCT/JP2017/006911
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 23.02.2017
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/13 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
13
形状に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
斉藤 省二 SAITO, Shoji; JP
猪ノ口 誠一郎 INOKUCHI, Seiichiro; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) This semiconductor device is characterized by being provided with: a metal base plate; an upper surface ceramic substrate that is provided on the upper surface of the base plate; a semiconductor element that is provided on the upper surface ceramic substrate; and a substrate, which is provided in the metal base plate, and which has an embedded ceramic substrate, an upper surface metal pattern that provided on the upper surface of the embedded ceramic substrate, and a lower surface metal pattern that is provided on the lower surface of the embedded ceramic substrate. The semiconductor device is also characterized in that the heat conductivity of the upper surface metal pattern and the heat conductivity of the lower surface metal pattern are higher than the heat conductivity of the metal base plate.
(FR) Ce dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il comprend : une plaque de base métallique ; un substrat céramique de surface supérieure qui est disposé sur la surface supérieure de la plaque de base ; un élément semi-conducteur qui est disposé sur le substrat céramique de surface supérieure ; et un substrat, qui est disposé dans la plaque de base métallique, et qui a un substrat céramique intégré, un motif métallique de surface supérieure qui est disposé sur la surface supérieure du substrat céramique intégré, et un motif métallique de surface inférieure qui est disposé sur la surface inférieure du substrat céramique intégré. Le dispositif à semi-conducteur est également caractérisé en ce que la conductivité thermique du motif métallique de surface supérieure et la conductivité thermique du motif métallique de surface inférieure sont supérieures à la conductivité thermique de la plaque de base métallique.
(JA) 金属ベース板と、該ベース板の上面に設けられた上面セラミック基板と、該上面セラミック基板の上に設けられた半導体素子と、該金属ベース板の中に設けられ、埋め込みセラミック基板と、該埋め込みセラミック基板の上面に設けられた上面金属パターンと、該埋め込みセラミック基板の下面に設けられた下面金属パターンと、を有する基板と、を備え、該上面金属パターンの熱伝導率と該下面金属パターンの熱伝導率は、該金属ベース板の熱伝導率より大きいことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)