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1. (WO2018154669) ストレージシステム

Pub. No.:    WO/2018/154669    International Application No.:    PCT/JP2017/006734
Publication Date: Fri Aug 31 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 24 00:59:59 CET 2017
IPC: G06F 12/16
G06F 3/06
G06F 12/00
G06F 12/02
Applicants: HITACHI, LTD.
株式会社日立製作所
Inventors: FUJII, Yoshihiko
藤井 慶彦
HOMMA, Shigeo
本間 繁雄
OGAWA, Junji
小川 純司
OHIRA, Yoshinori
大平 良徳
Title: ストレージシステム
Abstract:
本発明の一観点に係るストレージシステムは、フラッシュメモリを記憶媒体とする記憶デバイスを複数搭載する。また記憶デバイスに用いられるフラッシュメモリは、各セルをn-bitの情報を格納可能なセルまたはm-bit(n<m)の情報を格納可能なセルのいずれかとして運用可能なフラッシュメモリである。ストレージシステムは定期的に記憶デバイスから残消去可能回数を取得し、取得した残消去可能回数と記憶デバイスの稼働時間を用いて記憶デバイスの寿命を予測する。予測した寿命が所定値(耐用年数)より小さい場合、所定数のセルについて、n-bit情報を格納可能なセルに変更する。