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1. (WO2018154635) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/154635 国際出願番号: PCT/JP2017/006412
国際公開日: 30.08.2018 国際出願日: 21.02.2017
IPC:
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
一戸 洋暁 ICHINOHE, Hiroaki; JP
宮脇 勝巳 MIYAWAKI, Katsumi; JP
森脇 孝雄 MORIWAKI, Takao; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) A semiconductor device 1 is provided with: a heat sink 23; a semiconductor chip 3 and a circuit board 4, which are fixed to the heat sink 23 by means of a fixing material 5; a plurality of leads 22 connected to the semiconductor chip 3 and the circuit board 4 via wires 6; and a molded resin 7 that is provided on the heat sink 23. The molded resin 7 is covering a part of each of the leads 22, the wires 6 and the semiconductor chip 3, and exposing therefrom the remaining part of each of the leads 22. On the surfaces of the leads 22 and the heat sink 23, a roughening plating 21 having a surface roughness of, in RMS, 150 nm or more is provided. The fixing material 5 is a solder or sintered silver. The water absorption percentage of the molded resin 7 is 0.24 % or lower.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) qui est pourvu : d'un dissipateur thermique (23) ; d'une puce semi-conductrice (3) et d'une carte de circuit imprimé (4) fixées au dissipateur thermique (23) au moyen d'un matériau de fixation (5) ; d'une pluralité de conducteurs (22) connectés à la puce semi-conductrice (3) et à la carte de circuit imprimé (4) par l'intermédiaire de fils (6) ; d'une résine moulée (7) disposée sur le dissipateur thermique (23). La résine moulée (7) recouvre une partie de chacun des conducteurs (22), les fils (6) et la puce semi-conductrice (3), exposant ainsi la partie restante de chacun des conducteurs (22). Un placage raboteux (21), d'une rugosité de surface supérieure ou égale à 150 nm, en RMS, est agencé sur les surfaces des conducteurs (22) et du dissipateur thermique (23). Le matériau de fixation (5) est une brasure ou de l'argent fritté. Le pourcentage d'absorption d'eau de la résine moulée (7) est inférieur ou égale à 0,24 %.
(JA) 半導体装置1は、ヒートシンク23と、ヒートシンク23に固定材5で固定された半導体チップ3および回路基板4と、ワイヤ6を介して半導体チップ3および回路基板4と接続された複数のリード22と、ヒートシンク23の上に設けられたモールド樹脂7と、を備えている。モールド樹脂7は、リード22の一部、ワイヤ6、および半導体チップ3を覆っており、リード22の残部を露出させている。リード22およびヒートシンク23の表面には、表面粗さがRMS=150nm以上の粗化めっき21が設けられている。固定材5は、ハンダまたは焼結銀である。モールド樹脂7の吸水率が、0.24%以下である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)