このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018151294) 炭化ケイ素部材および半導体製造装置用部材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/151294 国際出願番号: PCT/JP2018/005740
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 19.02.2018
IPC:
C01B 32/956 (2017.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
[IPC code unknown for C01B 32/956]
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
藤江 和之 FUJIE,Kazuyuki; JP
小畑 正明 OBATA,Masaaki; JP
小川 浩充 OGAWA,Hiromitsu; JP
平野 義宜 HIRANO,Yoshinori; JP
辻岳 千里 TSUJITAKE,Senri; JP
優先権情報:
2017-02913320.02.2017JP
2017-14559727.07.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE MEMBER AND MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT EN CARBURE DE SILICIUM ET ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 炭化ケイ素部材および半導体製造装置用部材
要約:
(EN) Provided is a silicon carbide member comprising a β-type first silicon carbide crystal having a 3C crystal structure and a second silicon carbide crystal having a crystal structure, which is different from that of the first silicon carbide crystal. The silicon carbide member has a first surface, and the direction orthogonal to the first surface is defined as a first direction. Particles of the second silicon carbide crystal have a major axis extending in the first direction and have an average length of 100 μm or less in the first direction. Such a silicon carbide member is highly resistant to plasma or liquid chemicals, and is suitably used as a member for a semiconductor device, such as a focus ring and a dummy wafer.
(FR) La présente invention concerne un élément de carbure de silicium comprenant un premier cristal de carbure de silicium de type β ayant une structure cristalline 3C et un deuxième cristal de carbure de silicium ayant une structure cristalline, qui est différente de celle du premier cristal de carbure de silicium. L’élément de carbure de silicium comporte une première surface, et la direction orthogonale à la première surface est définie comme une première direction. Les particules du deuxième cristal de carbure de silicium ont un grand axe s’étendant dans la première direction et ont une longueur moyenne de 100 µm ou moins dans la première direction. Un tel élément de carbure de silicium est hautement résistant au plasma ou aux produits chimiques liquides, et est utilisé de façon adaptée en tant qu’élément pour un dispositif à semi-conducteur, tel qu’une bague de variation de focale et une tranche factice.
(JA) 炭化ケイ素部材は、3Cの結晶構造を有するβ型の第1の炭化ケイ素結晶と、第1の炭化ケイ素結晶とは異なる結晶構造を有する第2の炭化ケイ素結晶とを含む。炭化ケイ素部材は第1の表面を有し、第1の表面と直交する方向を第1方向とする。第2の炭化ケイ素結晶の粒子は、第1方向に沿ってのびる長径を有するとともに、第1方向の長さの平均が100μm以下である。このような炭化ケイ素部材はプラズマや薬液に対する耐性に優れ、フォーカスリングやダミーウェハなどの半導体装置用部材として好適である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)