このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018151028) コンデンサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/151028 国際出願番号: PCT/JP2018/004526
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 09.02.2018
IPC:
H01L 21/822 (2006.01) ,H01G 4/12 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
G
コンデンサ;電解型のコンデンサ,整流器,検波器,開閉装置,感光装置また感温装置
4
固定コンデンサ;その製造方法
002
細部
018
誘電体
06
固体誘電体
08
無機誘電体
12
セラミック誘電体
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
石原 豪人 ISHIHARA, Takehito; JP
井上 徳之 INOUE, Noriyuki; JP
舟木 達弥 FUNAKI, Tatsuya; JP
代理人:
鮫島 睦 SAMEJIMA, Mutsumi; JP
吉田 環 YOSHIDA, Tamaki; JP
優先権情報:
2017-02527914.02.2017JP
発明の名称: (EN) CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR
(JA) コンデンサ
要約:
(EN) The present invention provides a capacitor having: a capacitance forming section with a first electrode - dielectric layer - second electrode structure; and a silicon section, wherein the silicon section is disposed at at least a portion in a lateral direction of the capacitance forming section, and, when the capacitor is projected in a thickness direction, the area occupied by the silicon section below the capacitance forming section is 50% or less.
(FR) La présente invention concerne un condensateur ayant : une section de formation de capacité avec une structure première électrode-couche diélectrique-seconde électrode ; et une section de silicium, la section de silicium étant disposée au niveau d'au moins une partie dans une direction latérale de la section de formation de capacité, et, lorsque le condensateur est projeté dans une direction d'épaisseur, la surface occupée par la section de silicium au-dessous de la section de formation de capacité est inférieure ou égale à 50 %.
(JA) 本発明は、第一電極-誘電体層-第二電極構造を有する静電容量形成部と、シリコン部とを有するコンデンサであって、前記静電容量形成部の側方の少なくとも一部に、前記シリコン部が存在し、コンデンサを厚み方向に投影したときに、前記静電容量形成部の下方において前記シリコン部が占める領域が、50%以下であるコンデンサを提供する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)