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1. (WO2018150945) シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
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国際公開番号: WO/2018/150945 国際出願番号: PCT/JP2018/003971
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 06.02.2018
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
出願人:
株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町地領二丁目1番地1 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502, JP
発明者:
土屋 公亮 TSUCHIYA, Kohsuke; JP
浅田 真希 ASADA, Maki; JP
百田 怜史 MOMOTA, Satoshi; JP
代理人:
安部 誠 ABE, Makoto; JP
優先権情報:
2017-02915320.02.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON SUBSTRATE INTERMEDIATE POLISHING COMPOSITION AND SILICON SUBSTRATE POLISHING COMPOSITION SET
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE INTERMÉDIAIRE DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET ENSEMBLE DE COMPOSITION DE POLISSAGE DE SUBSTRAT DE SILICIUM
(JA) シリコン基板中間研磨用組成物およびシリコン基板研磨用組成物セット
要約:
(EN) Provided is a polishing composition which is used in a step upstream of a final polishing step for a silicon substrate, and which makes it possible to obtain a high-quality surface effectively after the final polishing step. According to the present invention, there is provided an intermediate polishing composition which is used in an intermediate polishing step of a silicon substrate polishing process comprising the intermediate polishing step and the final polishing step. The intermediate polishing composition includes abrasive grains A1, a basic compound B1, and a surface protection agent S1. The surface protection agent S1 includes a water-soluble polymer P1 having a weight-average molecular weight of more than 30 × 104 and a dispersant D1, wherein a dispersive parameter α1 is less than 80%.
(FR) L'invention concerne une composition de polissage qui est utilisée dans une étape en amont d'une étape de polissage final pour un substrat de silicium, et qui permet d'obtenir une surface de haute qualité efficacement après l'étape de polissage final. Selon la présente invention, il est prévu une composition de polissage intermédiaire qui est utilisée dans une étape de polissage intermédiaire d'un processus de polissage de substrat de silicium comprenant l'étape de polissage intermédiaire et l'étape de polissage final. La composition de polissage intermédiaire comprend des grains abrasifs A1, un composé basique B1, et un agent de protection de surface S1. L'agent de protection de surface S1 comprend un polymère hydrosoluble P1 ayant un poids moléculaire moyen en poids de plus de 30 × 104et un dispersant D1, un paramètre dispersif α1 étant inférieur à 80 %.
(JA) シリコン基板の仕上げ研磨工程より上流の工程で用いられて、仕上げ研磨工程後において高品位の表面を効果的に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明によると、中間研磨工程と仕上げ研磨工程とを含むシリコン基板の研磨プロセスにおいて上記中間研磨工程に用いられる中間研磨用組成物が提供される。上記中間研磨用組成物は、砥粒Aと、塩基性化合物Bと、表面保護剤Sとを含む。上記表面保護剤Sは、重量平均分子量が30×10より高い水溶性高分子Pを含み、さらに、分散剤Dを含み、かつ分散性パラメータαが80%未満である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)