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1. (WO2018150916) 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/150916    International Application No.:    PCT/JP2018/003676
Publication Date: Fri Aug 24 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Feb 03 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/336
H01L 29/786
Applicants: TOPPAN PRINTING CO., LTD.
凸版印刷株式会社
Inventors: NISHIZAWA Makoto
西澤 誠
Title: 薄膜トランジスタアレイおよびその製造方法
Abstract:
電極設計の自由度が高く、さらにオンオフ比が高く、安定的なトランジスタ特性を得ることができる薄膜トランジスタアレイの構造と、その薄膜トランジスタアレイを高スループットで製造する方法を提供する。絶縁基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極間に形成されたチャネル領域とを含む薄膜トランジスタ素子をマトリクス状に並べた薄膜トランジスタアレイであって、絶縁性材料を用いて、複数の前記薄膜トランジスタ素子にわたって形成されたストライプ形状の断線用パターンと、断線用パターンに直交するとともに、複数の薄膜トランジスタ素子のチャネル領域にわたって形成され、断線用パターンとの交点において断線したストライプ形状の半導体パターンとをさらに含み、断線用パターンは、最大膜厚が200nm以上かつ3000nm以下である。