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1. (WO2018150902) 撮像素子および電子機器
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国際公開番号: WO/2018/150902 国際出願番号: PCT/JP2018/003505
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 02.02.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02
細部
0232
装置と結合した光学素子または光学装置
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
9
カラーテレビジョン方式の細部
04
画像信号発生装置
07
1つの撮像装置のみを有するもの
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
野村 宏利 NOMURA Hirotoshi; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2017-02753317.02.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGE-CAPTURE ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CAPTURE D'IMAGE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像素子および電子機器
要約:
(EN) The present disclosure relates to an image-capture element and an electronic device for making it possible to capture a higher-quality image. The image-capture element is provided with: a photoelectric conversion portion which is provided on a semiconductor substrate for each pixel and which performs photoelectric conversion of light entering via a filter layer that transmits a predetermined wavelength range of light; an element separating portion for separating the photoelectric conversion portions of adjacent pixels on the semiconductor substrate; and a pixel-to-pixel light blocking portion which is disposed between pixels in a layer provided between the semiconductor substrate and the filter layer, at a predetermined interval from a light receiving surface of the semiconductor substrate. An interval between the light receiving surface of the semiconductor substrate and a tip surface of the pixel-to-pixel light blocking portion is set narrower than a width of the tip surface of the pixel-to-pixel light blocking portion. The present technology may be applied in a backside illuminated CMOS image sensor, for example.
(FR) La présente invention concerne un élément de capture d'image et un dispositif électronique permettant de capturer une image de qualité supérieure. L'élément de capture d'image est pourvu : d'une partie de conversion photoélectrique qui est disposée sur un substrat semi-conducteur pour chaque pixel et qui réalise une conversion photoélectrique de la lumière entrant par l'intermédiaire d'une couche de filtre qui transmet une plage de longueur d'onde prédéterminée de lumière ; d'une partie de séparation d'élément pour séparer les parties de conversion photoélectrique de pixels adjacents sur le substrat semi-conducteur ; et d'une partie de blocage de lumière de pixel à pixel qui est disposée entre des pixels dans une couche disposée entre le substrat semi-conducteur et la couche de filtre, à un intervalle prédéterminé à partir d'une surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur. Un intervalle entre la surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur et une surface de pointe de la partie de blocage de lumière de pixel à pixel est réglé plus étroit qu'une largeur de la surface de pointe de la partie de blocage de lumière de pixel à pixel. La présente technologie peut par exemple être appliquée à un capteur d'image CMOS rétroéclairé.
(JA) 本開示は、より高画質な画像を撮像することができるようにする撮像素子および電子機器に関する。 撮像素子は、画素ごとに半導体基板に設けられ、所定の波長域の光を透過するフィルタ層を介して入射する光を光電変換する光電変換部と、半導体基板において、隣接する画素どうしの光電変換部の間を分離する素子分離部と、半導体基板およびフィルタ層の間に設けられる層における画素どうしの間に、半導体基板の受光面から所定の間隔を隔てて配置される画素間遮光部とを備える。そして、半導体基板の受光面と画素間遮光部の先端面との間隔が、画素間遮光部の先端面の幅よりも狭く設定される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)