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1. (WO2018150803) 不揮発性半導体記憶装置のデータ消去装置および不揮発性半導体記憶装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/150803    International Application No.:    PCT/JP2018/001431
Publication Date: Fri Aug 24 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 19 00:59:59 CET 2018
IPC: G11C 16/34
G11C 16/14
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: YAKO Koichi
八▲高▼ 公一
NAKAYAMA Yoshiaki
中山 喜明
Title: 不揮発性半導体記憶装置のデータ消去装置および不揮発性半導体記憶装置の製造方法
Abstract:
第1電圧の印加によりデータが書き込まれ、第1電圧とは異なる第2電圧の印加によりデータが消去されるセル(11)を複数備える不揮発性半導体記憶装置のデータ消去装置は、セル(11)に電圧を印加する制御部(2)を備える。制御部(2)は、第2電圧の大きさを一定として、複数のセル(11)に第2電圧を時間t1の間印加することを複数回行って、複数のセル(11)を第1の消去状態とし、複数のセル(11)を第1の消去状態とした後、時間t1よりも長い時間t2の間、複数のセル(11)に第2電圧を印加して、複数のセル(11)を第1の消去状態よりも深い消去状態である第2の消去状態とし、複数のセル(11)を第1の消去状態とする際に、複数のセル(11)の消去状態に応じて、第2電圧を時間t1の間印加することの回数を、セル(11)、または、セル(11)を複数含むセル群(16)ごとに変化させる。