国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018150781) 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/150781    International Application No.:    PCT/JP2018/000847
Publication Date: Fri Aug 24 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: H01G 4/33
H01G 4/12
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
株式会社村田製作所
Inventors: FUKAHORI Souko
深堀 奏子
Title: 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法
Abstract:
再配線層の配線電極から発生するマイグレーションを抑制する。薄膜デバイス(10)は、基材部と、基材部の表面側に形成された再配線層と、を備える。再配線層は、基材部側から順次配置された樹脂絶縁層(53)の表面部(530)および樹脂絶縁層(71)、金属層(61、62)、および、密着層(91、92)を含む。金属層(61)と密着層(91)とは第1配線電極を構成し、金属層(62)と密着層(92)とは第2配線電極を構成する。これらの配線電極は、樹脂絶縁層(53)の表面部(530)と樹脂絶縁層(71)との界面に配置されている。第1の配線電極の端部において、この界面に沿って、密着層(91)は、金属層(61)よりも第1の所定長さだけ突出している。