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1. (WO2018150637) エッチング方法
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国際公開番号: WO/2018/150637 国際出願番号: PCT/JP2017/038670
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 26.10.2017
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
[IPC code unknown for B23K 26/53]
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
出願人:
信越ポリマー株式会社 SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区神田須田町一丁目9番地 1-9, Kanda-Sudacho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010041, JP
国立大学法人埼玉大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SAITAMA UNIVERSITY [JP/JP]; 埼玉県さいたま市桜区下大久保255 255, Shimo-Okubo, Sakura-ku, Saitama-shi, Saitama 3388570, JP
発明者:
池野 順一 IKENO Junichi; JP
山田 洋平 YAMADA Yohei; JP
鈴木 秀樹 SUZUKI Hideki; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu; JP
高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi; JP
伊藤 正和 ITO Masakazu; JP
高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio; JP
優先権情報:
2017-02711816.02.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR ETCHING
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) エッチング方法
要約:
(EN) A method for etching in which: molten sodium hydroxide (SHL) in a prescribed temperature range is used as a molten alkali, whereby an Si surface of an etching surface of an SiC substrate (PL), in which the substrate surface is configured from the Si surface and a C surface, is removed at a higher speed than is the C surface while an oxide film is formed on the etching surface in a high-temperature environment containing oxygen.
(FR) L’invention concerne un procédé de gravure selon lequel un film d’oxyde est formé sur une face à graver d’un substrat SiC (PL) tel que des faces de substrat sont configurées par une face Si et une face C, à haute température et dans un environnement contenant un oxygène, par mise en œuvre d’un hydroxyde de sodium fondu (SHL) transformé en une zone de haute température prédéfinie en tant qu’alcali fondu, et la face Si de la face à graver est retirée plus rapidement que la face C.
(JA) 溶融アルカリとして所定の高温域にした溶融水酸化ナトリウム(SHL)を用いることにより、高温かつ酸素を含む環境下で、基板面がSi面とC面とで構成されるSiC基板(PL)の被エッチング面に酸化被膜を形成しつつ、被エッチング面のSi面をC面よりも高い速度で除去するエッチング方法である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)