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1. (WO2018150615) 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム
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国際公開番号: WO/2018/150615 国際出願番号: PCT/JP2017/032706
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 11.09.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
西堂 周平 SAIDO, Shuhei; JP
佐々木 隆史 SASAKI, Takafumi; JP
吉田 秀成 YOSHIDA, Hidenari; JP
岡嶋 優作 OKAJIMA, Yusaku; JP
優先権情報:
2017-02617915.02.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, REACTION TUBE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, TUBE DE RÉACTION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法及びプログラム
要約:
(EN) Disclosed is a technology of uniformizing, among wafers, the velocity distribution of a treatment gas in a reaction tube. The device according to the present invention is provided with: a substrate holder that holds a plurality of substrates; a cylindrical section, which is disposed in a reaction tube, and which has a treatment chamber for treating the substrates by housing the substrate holder therein; a nozzle disposition chamber that is provided by partitioning a gap between the reaction tube and the cylindrical section; a gas nozzle, which is disposed in the nozzle disposition chamber, and which supplies the treatment gas to the inside of the treatment chamber; a gas supply port formed in the cylindrical section so that the nozzle disposition chamber and the treatment chamber are in communication with each other; a gas exhaust port, which is formed in the cylindrical section so that the gap and the treatment chamber are in communication with each other, and which exhausts the atmosphere in the treatment chamber to the gap; and an exhaust section, which is connected to the reaction tube, and which exhausts the atmosphere in the gap.
(FR) L'invention concerne une technologie permettant d'uniformiser, parmi des tranches, la distribution de vitesse d'un gaz de traitement circulant dans un tube de réaction. Le dispositif selon la présente invention comprend : un support de substrat qui supporte une pluralité de substrats; une section cylindrique, qui est disposée dans un tube de réaction et qui possède une chambre de traitement permettant de traiter les substrats en y logeant le support de substrat; une chambre de disposition de buse qui est mise en place par la division d'un espacement situé entre le tube de réaction et la section cylindrique; une buse de gaz, qui est disposée dans la chambre de disposition de buse et qui fournit le gaz de traitement à l'intérieur de la chambre de traitement; un orifice d'alimentation en gaz formé dans la section cylindrique pour mettre en communication la chambre de disposition de buse et la chambre de traitement l'une avec l'autre; un orifice d'évacuation de gaz, qui est formé dans la section cylindrique pour mettre en communication l'espacement et la chambre de traitement l'un avec l'autre, et qui évacue l'atmosphère présente dans la chambre de traitement vers l'espacement; et une section d'évacuation, qui est raccordée au tube de réaction et qui évacue l'atmosphère présente dans l'espacement.
(JA) 反応管内の処理ガスの速度分布をウエハ間で均一にする技術が開示される。装置は、複数枚の基板を保持する基板保持具と、反応管内部に設置され、基板保持具を収容して基板を処理する処理室を有する筒部と、反応管と筒部との間隙を区画して設けられたノズル配置室と、ノズル配置室内に配置され、処理室内に処理ガスを供給するガスノズルと、ノズル配置室と処理室とが連通するように筒部に形成されるガス供給口と、間隙と処理室とを連通させるように筒部に形成され、処理室内の雰囲気を間隙に排気するガス排気口と、反応管に接続され、間隙内の雰囲気を排気する排気部と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)