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国際公開番号: WO/2018/150537 国際出願番号: PCT/JP2017/005888
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 17.02.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22
半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
出願人: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者: SAIDO Shuhei; JP
YAMAGUCHI Takatomo; JP
SASAKI Takafumi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
要約:
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of improving productivity by shortening the time for increasing the temperature inside of a treatment chamber, and by eliminating a dummy wafer. [Solution] This substrate treatment device is provided with: a reaction container that stores therein a substrate holding body that holds substrates; a lid section that closes an opening at a reaction container lower end; and a cover section covering the lid section. The cover section has: an inner high section formed to protrude to the inside of the reaction container; and a flange section, which is formed at a lower end of the inner high section, and which is disposed between the lid section and the reaction container. A heat insulating section is disposed in a hollow part inside the inner high section, and a heating section is disposed between the heat insulating section and the inner high section.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer la productivité en raccourcissant le temps pour augmenter la température à l'intérieur d'une chambre de traitement, et en éliminant une plaquette factice. La solution selon l'invention porte sur un dispositif de traitement de substrat comprenant : une cuve de réaction qui stocke en son sein un corps de support de substrat qui maintient des substrats; une section de couvercle qui ferme une ouverture au niveau d'une extrémité inférieure de cuve de réaction; et une section de couvercle recouvrant la section de couvercle. La section de couvercle a : une section haute interne formée pour faire saillie vers l'intérieur de la cuve de réaction; et une section de bride, qui est formée au niveau d'une extrémité inférieure de la section haute interne, et qui est disposée entre la section de couvercle et la cuve de réaction. Une section d'isolation thermique est disposée dans une partie creuse à l'intérieur de la section haute interne, et une section de chauffage est disposée entre la section d'isolation thermique et la section haute interne.
(JA) [課題] 処理室内の昇温時間を短くし、かつ、ダミーウエハをなくすことにより生産性を向上させる。 [解決手段] 基板を保持する基板保持体を内部に収容する反応容器と、反応容器下端の開口部を閉塞する蓋部と、蓋部を覆うカバー部と、を備え、カバー部は、反応容器内に突出するように形成された中高部と、中高部の下端に形成され、蓋部および反応容器との間に配置されるフランジ部と、を有し、中高部の内側の中空部分には断熱部が設置され、断熱部と中高部との間には加熱部が設置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)