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1. (WO2018150536) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
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国際公開番号: WO/2018/150536 国際出願番号: PCT/JP2017/005887
国際公開日: 23.08.2018 国際出願日: 17.02.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
677
移送のためのもの,例.異なるワ―クステーション間での移送
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
高野 智 TAKANO Satoshi; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
要約:
(EN) [Problem] To improve the overall productivity of a processing device in which a single wafer processing device and a vertical processing device can perform continuous processing. [Solution] A substrate processing device is provided with: a vertical processing furnace for processing N (5 ≤ N ≤ 50) substrates held by a substrate holder; a conveying chamber disposed below the vertical processing furnace and conveying the substrate holder to the vertical processing furnace; a plurality of single wafer processing furnaces being adjacent to the conveying chamber, processing M (1 ≤ M < 10) substrates at a time, and disposed stacked in at least two stages or more; and a transfer chamber being adjacent to the conveying chamber and the single wafer processing furnaces and installed with a transfer machine for transferring the substrates.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer la productivité globale d'un dispositif de traitement dans lequel un dispositif de traitement de tranche unique et un dispositif de traitement vertical peuvent réaliser un traitement continu. La solution selon l'invention porte sur un dispositif de traitement de substrat comportant : un four de traitement vertical destiné à traiter N (5 ≤ N ≤ 50) substrats soutenus par un support de substrat; une chambre d'acheminement disposée au-dessous du four de traitement vertical et acheminant le support de substrat vers le four de traitement vertical; une pluralité de fours de traitement de tranche unique adjacents à la chambre d'acheminement, destinés à traiter M (1 ≤ M < 10) substrats à la fois, et disposés empilés sur au moins deux étages; et une chambre de transfert adjacente à la chambre d'acheminement et aux fours de traitement de tranche unique et équipée d'une machine de transfert servant à transférer les substrats.
(JA) [課題]  枚葉処理装置と縦型処理装置とで連続処理可能な処理装置において、処理装置全体の生産性を向上させる。 [解決手段] 基板保持具に保持されたN(5≦N≦50)枚の基板を処理する縦型処理炉と、縦型処理炉の下方に配置され、基板保持具を縦型処理炉に搬送する搬送室と、搬送室に隣接し、基板をM(1≦M<10)枚ずつ処理し、少なくとも2段以上積層して配置されている複数の枚葉処理炉と、搬送室および複数の枚葉処理炉に隣接し、基板を移載する移載機が設置される移載室と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)