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1. (WO2018150467) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/150467    International Application No.:    PCT/JP2017/005333
Publication Date: Fri Aug 24 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Feb 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: NISSAN MOTOR CO., LTD.
日産自動車株式会社
Inventors: NI Wei
倪 威
HAYASHI Tetsuya
林 哲也
TANAKA Ryota
田中 亮太
TAKEMOTO Keisuke
竹本 圭佑
HAYAMI Yasuaki
早見 泰明
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
基板(1)の第1主面に形成された第1導電型の第1ドリフト領域(4)と、基板(1)の第1主面に形成され第1ドリフト領域(4)よりも基板(1)の深い位置まで形成された第1導電型の第2ドリフト領域(41)を有する。更に、第2ドリフト領域に接する第2導電型のウェル領域と、ウェル領域の表面から垂直方向に延設された第1導電型のソース領域と、ウェル領域と離間し第1ドリフト領域の表面から垂直方向に延設された第1導電型のドレイン領域を備える。チャンネルを通過した後の電子の流路が広くなるので、抵抗を低減することができる。