国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018147379) 化合物単結晶製造装置、化合物単結晶の製造方法、及びGaN単結晶

Pub. No.:    WO/2018/147379    International Application No.:    PCT/JP2018/004436
Publication Date: Fri Aug 17 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Feb 09 00:59:59 CET 2018
IPC: C30B 29/38
C30B 23/06
H01L 21/205
Applicants: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO
株式会社豊田中央研究所
Inventors: KIMURA Taishi
木村 大至
NAKAMURA Daisuke
中村 大輔
Title: 化合物単結晶製造装置、化合物単結晶の製造方法、及びGaN単結晶
Abstract:
化合物単結晶製造装置10は、種結晶22を保持するための結晶成長部20と、金属含有ガス及び反応ガスを種結晶22に向かって供給するためのガス供給部40と、種結晶22及び金属源50を加熱するための加熱部60とを備えている。ガス供給部40は、金属源50を保持するルツボ42と、キャリアガス供給装置と、反応ガス供給装置とを備えている。ルツボ42の開口部には、多孔バッフル板48が設けられている。多孔バッフル板48は、80%≦(1-VH/VB)×100<100%、及び0.0003<a2/L<1.1の関係を満たす。但し、VBは多孔バッフル板48の見かけの体積、VHは多孔バッフル板48に含まれる孔の総体積、aは孔の直径、Lは孔の長さ。