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1. (WO2018147332) 撮像パネル及びその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/147332 国際出願番号: PCT/JP2018/004230
国際公開日: 16.08.2018 国際出願日: 07.02.2018
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H04N 5/32 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
G 物理学
01
測定;試験
T
原子核放射線またはX線の測定
1
X線,ガンマ線,微粒子線または宇宙線の測定
16
放射線強度の測定
20
シンチレーション検出器をもつもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
32
X線の変換
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1 Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
美▲崎▼ 克紀 MISAKI Katsunori; --
代理人:
川上 桂子 KAWAKAMI Keiko; JP
松山 隆夫 MATSUYAMA Takao; JP
優先権情報:
2017-02275710.02.2017JP
発明の名称: (EN) IMAGING PANEL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PANNEAU D’IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) 撮像パネル及びその製造方法
要約:
(EN) Provided are an X-ray imaging panel and a method for producing the X-ray imaging panel, which are able to improve the productivity. An imaging panel 1 according to the present invention has an active region and a terminal region in a substrate 101. The terminal region is provided with: a first conductive layer 100; a first insulating film 103 for terminals, which has a first opening and is configured from the same material as a first insulating film of the active region; a second conductive layer 1701 which is configured from the same material as a conductive film of the active region and is superposed on the first conductive layer 100 at the position where the opening is formed; and a cover layer which is arranged between the first conductive layer 100 and the second conductive layer 1701 at the position where the first opening is formed. The first conductive layer 100 is configured from a material that is the same as the material of a gate electrode or a source electrode of a thin film transistor in the active region or the material of a lower electrode. The cover layer is configured from a material that is the same as the material of at least one element which is selected from among the source electrode in the active region, the lower electrode and a bias wire, and which is arranged above an element that is configured from the same material as the first conductive layer 100.
(FR) L'invention concerne un panneau d'imagerie par rayons X et un procédé de production de ce panneau d'imagerie par rayons X, qui sont aptes à améliorer la productivité. Un panneau d'imagerie 1 selon la présente invention comprend une région active et une région de bornes dans un substrat 101. La région de bornes est pourvue : d'une première couche conductrice 100 ; d'un premier film isolant 103 pour bornes, lequel présente une première ouverture et est conçu à partir du même matériau qu'un premier film isolant de la région active ; une seconde couche conductrice 1701 qui est conçue à partir du même matériau qu'un film conducteur de la région active et est superposée sur la première couche conductrice 100 au niveau de la position de formation de l'ouverture ; et une couche de recouvrement qui est disposée entre la première couche conductrice 100 et la seconde couche conductrice 1701 au niveau de la position de formation de la première ouverture. La première couche conductrice 100 est conçue à partir d'un matériau qui est le même que le matériau que celui d'une électrode grille ou d'une électrode source d'un transistor à couches minces dans la région active, ou que le matériau d'une électrode inférieure. La couche de recouvrement est conçue à partir d'un matériau qui est le même que le matériau d'au moins un élément qui est choisi parmi l'électrode source dans la région active, l'électrode inférieure et un fil de polarisation, et qui est disposé au-dessus d'un élément qui est conçu à partir du même matériau que la première couche conductrice 100.
(JA) 生産性を向上させ得るX線撮像パネル及びその製造方法を提供する。撮像パネル1は、基板101にアクティブ領域と端子領域を有する。端子領域は、第1の導電層100と、アクティブ領域の第1の絶縁膜と同じ材料で構成された第1の開口を有する端子用第1絶縁膜103と、アクティブ領域の導電膜と同じ材料で構成され、第1の開口が設けられた位置に第1の導電層100と重なる第2の導電層1701と、第1の開口が設けられた位置に第1の導電層100と第2の導電層1701の間に配置されたカバー層を備える。第1の導電層100は、アクティブ領域の薄膜トランジスタのゲート電極又はソース電極及び下部電極のいずれか1つと同じ材料で構成される。カバー層は、アクティブ領域のソース電極、下部電極、バイアス配線のうち、第1の導電層100と同じ材料からなる素子より上層に配置される少なくとも1つの素子と同じ材料で構成される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)