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1. (WO2018147202) 光電変換素子、及びこれを用いた光エリアセンサ、撮像素子、撮像装置
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国際公開番号: WO/2018/147202 国際出願番号: PCT/JP2018/003691
国際公開日: 16.08.2018 国際出願日: 02.02.2018
IPC:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08
輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
出願人:
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
発明者:
高橋 哲生 TAKAHASHI Tetsuo; JP
塩原 悟 SHIOBARA Satoru; JP
鎌谷 淳 KAMATANI Jun; JP
山田 直樹 YAMADA Naoki; JP
山口 智奈 YAMAGUCHI Tomona; JP
大類 博揮 OHRUI Hiroki; JP
岩脇 洋伸 IWAWAKI Hironobu; JP
板橋 真澄 ITABASHI Masumi; JP
西出 洋祐 NISHIDE Yosuke; JP
宮下 広和 MIYASHITA Hirokazu; JP
梶本 典史 KAJIMOTO Norifumi; JP
野口 萌恵 NOGUCHI Moe; JP
河田 功 KAWATA Isao; JP
伊藤 祐斗 ITO Yuto; JP
代理人:
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
優先権情報:
2017-02023907.02.2017JP
2017-22168417.11.2017JP
2017-25092927.12.2017JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL AREA SENSOR USING SAME, IMAGING ELEMENT, AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, CAPTEUR À ZONE OPTIQUE L'UTILISANT, ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 光電変換素子、及びこれを用いた光エリアセンサ、撮像素子、撮像装置
要約:
(EN) Provided is a photoelectric conversion element that includes: an anode; a photoelectric conversion layer comprising a first organic semiconductor, a second organic semiconductor, and a third organic semiconductor; and a cathode. The first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor are all low-molecular organic semiconductors; the mass ratio thereof satisfies the first organic semiconductor ≥ second organic semiconductor ≥ third organic semiconductor; and when the sum of the first organic semiconductor, second organic semiconductor, and third organic semiconductor is 100 mass%, the content of the second organic semiconductor is 6 mass% or more, and the content of the third organic semiconductor is 3 mass% or more.
(FR) L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend : une anode; une couche de conversion photoélectrique comprenant un premier semiconducteur organique, un second semiconducteur organique et un troisième semiconducteur organique; et une cathode. Le premier semiconducteur organique, le second semiconducteur organique et le troisième semiconducteur organique sont tous des semiconducteurs organiques à faible masse moléculaire; dont le rapport en masse satisfait : le premier semiconducteur organique ≥ second semiconducteur organique ≥ troisième semiconducteur organique; et lorsque la somme du premier semiconducteur organique, second semiconducteur organique et troisième semiconducteur organique est de 100 % en masse, la teneur du second semiconducteur organique est inférieure ou égale à 6 % en masse, et la teneur du troisième semiconducteur organique est supérieure ou égale à 3 % en masse.
(JA) アノードと、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体とからなる光電変換層と、カソードとを有する光電変換素子において、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体としていずれも低分子有機半導体を用い、質量比を第一の有機半導体≧第二の有機半導体≧第三の有機半導体とし、さらに、第一の有機半導体と第二の有機半導体と第三の有機半導体の合計を100質量%とした時、第二の有機半導体の含有量を6質量%以上、第三の有機半導体の含有量を3質量%以上とする光電変換素子。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)