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1. (WO2018147136) 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法

Pub. No.:    WO/2018/147136    International Application No.:    PCT/JP2018/003145
Publication Date: Fri Aug 17 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Feb 01 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/3205
C23C 14/14
C23C 14/34
C23C 14/58
H01L 21/28
H01L 21/285
H01L 21/768
H01L 23/532
Applicants: MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
三井金属鉱業株式会社
Inventors: TOKUCHI, Shigeki
徳地 成紀
TAKAHASHI, Seiichiro
高橋 誠一郎
YASHIMA, Isamu
八島 勇
Title: 配線構造及びその製造方法、スパッタリングターゲット材、並びに酸化防止方法
Abstract:
配線構造(10)は、基板(11)と、基板(11)上に設けられた配線層(12)と、配線層(12)上に設けられた金属層(14)とを備える。配線層(12)は銅を含む。金属層(14)はジルコニウム及びケイ素を含み、且つ残部が銅及び不可避不純物からなる。金属層(14)が、銅、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計に対して、ジルコニウムを1モル%以上33モル%以下含み、ケイ素を1モル%以上33モル%以下含むことが好適である。また、金属層(14)において、前記合計に対する、ジルコニウム及びケイ素のモル数の合計が2モル%以上40モル%以下であることも好適である。