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1. (WO2018146933) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/146933 国際出願番号: PCT/JP2017/044094
国際公開日: 16.08.2018 国際出願日: 07.12.2017
IPC:
H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
40
分離できる冷却または加熱装置のための取り付けまたは固着手段
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者:
甲斐 健志 KAI Kenshi; JP
丸山 力宏 MARUYAMA Rikihiro; JP
宮嵜 啓裕 MIYAZAKI Yoshihiro; JP
代理人:
鈴木 壯兵衞 SUZUKI Sohbe; JP
優先権情報:
2017-02409113.02.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
要約:
(EN) Provided are a semiconductor device with which a change in form of an insulating circuit substrate can be suppressed and improved heat dissipation can be obtained, and a method for manufacturing the same. The semiconductor device is provided with: an insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c) on which a semiconductor chip (7) is mounted; and a case (1a) which has bonding areas 8 for bonding to the insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c) in each of at least a pair of side wall portions forming two sides opposing each other. Each bonding area 8 has an arched shape with the center in a direction in which the two sides extend protruding beyond the ends toward the insulating circuit substrate (3a, 3b, 3c).
(FR) L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur permettant de supprimer un changement de forme d'un substrat de circuit isolant et d'obtenir une dissipation de chaleur améliorée, et sur son procédé de fabrication. Le dispositif à semi-conducteur est pourvu : d'un substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c) sur lequel une puce semi-conductrice (7) est montée ; et d'un boîtier (1a) qui comporte des surfaces de liaison (8) en vue d'une liaison au substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c) dans chaque partie paroi latérale d'au moins une paire de parties parois latérales formant deux côtés mutuellement opposés. Chaque surface de liaison (8) présente une forme arquée dont le centre est orienté dans une direction dans laquelle les deux côtés s'étendent en saillie au-delà des extrémités vers le substrat de circuit isolant (3a, 3b, 3c).
(JA) 絶縁回路基板の形状変化を抑制し、放熱性を向上できる半導体装置及びその製造方法を提供する。半導体装置は、半導体チップ(7)を搭載した絶縁回路基板(3a,3b,3c)と、絶縁回路基板(3a,3b,3c)に接合する接合領域8を少なくとも対向する2辺をなす一組の側壁部にそれぞれ有し、接合領域8の形状が、2辺の延びる方向の中央が両端より絶縁回路基板(3a,3b,3c)側に突出する円弧状であるケース(1a)と、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)