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1. (WO2018146910) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
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国際公開番号: WO/2018/146910 国際出願番号: PCT/JP2017/042424
国際公開日: 16.08.2018 国際出願日: 27.11.2017
IPC:
H03H 9/145 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02
細部
125
駆動手段,例.電極,コイル
145
弾性表面波を用いる回路網のためのもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足１丁目１０番１号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
三村　昌和 MIMURA, Masakazu; JP
代理人:
特許業務法人　宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町１丁目３番８号　中央大通ＦＮビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
優先権情報:
2017-02116208.02.2017JP
発明の名称: (EN) ELASTIC WAVE DEVICE, HIGH-FREQUENCY FRONT-END CIRCUIT AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, CIRCUIT FRONTAL HAUTE-FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
要約:
(EN) The present invention provides an elastic wave device that utilizes a Love wave and is able to effectively suppress transverse-mode spurious responses. An elastic wave device 1 uses a Love wave, and is provided with a piezoelectric substrate 2 (piezoelectric body), an IDT electrode 3 provided on the piezoelectric substrate 2, and a first dielectric film provided above the piezoelectric substrate 2 and covering the IDT electrode 3. In the IDT electrode 3, a central region B, first and second edge regions Ca, Cb, and first and second gap regions Da, Db are disposed in this order. In the first edge Ca region and the second edge Cb region, a mass addition film 7 is provided in the first dielectric film, and in the first dielectric film, T1/(T1+T2)<0.5 is satisfied, where T1 is the film thickness of a portion located between the IDT electrode 3 and the mass addition film 7, and T2 is the film thickness of a portion located between a surface on the side opposite to the piezoelectric substrate 2 side of the first dielectric film and the mass addition film 7.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à ondes élastiques qui utilise une onde de Love et permet de supprimer efficacement des réponses parasites en mode transversal. Un dispositif à ondes élastiques (1) utilise une onde de Love, et est pourvu d'un substrat piézoélectrique (2) (corps piézoélectrique), d'une électrode IDT (3) disposée sur le substrat piézoélectrique (2), et d'un premier film diélectrique disposé au-dessus du substrat piézoélectrique (2) et recouvrant l'électrode IDT (3). Dans l'électrode IDT (3), une région centrale (B), des première et seconde régions de bord (Ca, Cb) et des première et seconde régions d'espace (Da, Db) sont disposées dans cet ordre. Dans la première région de bord (Ca) et la seconde région de bord (Cb), un film d'addition de masse (7) est disposé dans le premier film diélectrique, et dans le premier film diélectrique, T1 / (T1 + T2) < 0,5 est satisfait, T1 représentant l'épaisseur de film d'une partie située entre l'électrode IDT (3) et le film d'addition de masse (7), et T2 représentant l'épaisseur de film d'une partie située entre une surface sur le côté opposé au côté substrat piézoélectrique (2) du premier film diélectrique et le film d'addition de masse (7).
(JA) ラブ波を利用しており、横モードスプリアスを効果的に抑制することができる弾性波装置を提供する。　弾性波装置１はラブ波を用いており、さらに、圧電基板２（圧電体）と、圧電基板２上に設けられたＩＤＴ電極３と、圧電基板２上に設けられており、ＩＤＴ電極３を覆っている第１の誘電体膜と、を備える。ＩＤＴ電極３においては中央領域Ｂ、第１，第２のエッジ領域Ｃａ，Ｃｂ及び第１，第２のギャップ領域Ｄａ，Ｄｂがこの順序で配置されている。第１のエッジＣａ領域及び第２のエッジＣｂ領域において、質量付加膜７が第１の誘電体膜中に設けられており、第１の誘電体膜において、ＩＤＴ電極３と質量付加膜７との間に位置する部分の膜厚をＴ１とし、第１の誘電体膜の圧電基板２側とは反対側の面と質量付加膜７との間に位置する部分の膜厚をＴ２としたときに、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＜０．５である。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)