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1. (WO2018146906) 基板処理装置及び基板処理方法
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国際公開番号: WO/2018/146906 国際出願番号: PCT/JP2017/042009
国際公開日: 16.08.2018 国際出願日: 22.11.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る四丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
津田 祥太郎 TSUDA Shotaro; JP
平岡 伸康 HIRAOKA Nobuyasu; JP
沖田 展彬 OKITA Nobuaki; JP
西田 崇之 NISHIDA Takayuki; JP
代理人:
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
有田 貴弘 ARITA Takahiro; JP
優先権情報:
2017-02315110.02.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約:
(EN) Provided is a technique for reducing the re-adhesion of foreign substances, which have been adhered to a cup, to a substrate. The substrate processing device 1 has an upper cup part 32 having: a first cylindrical section 321 and a second cylindrical section 322 which are formed in cylindrical shapes capable of surrounding a substrate W held in a substrate holding part 10, wherein the second cylindrical section 322 is connected to an upper portion of the first cylindrical section 321. In addition, the substrate processing device 1 is provided with a cup moving part 36 which moves the upper cup part 32 in the vertical direction and thereby stops the upper cup part 32 at a position at which the first cylindrical section 321 surrounds the substrate W and a position at which the second cylindrical section 322 surrounds the substrate W.
(FR) L'invention concerne une technique permettant de réduire le recollement de substances étrangères, qui ont été collées sur une coupelle, sur un substrat. Le dispositif de traitement de substrat 1 a une partie de coupelle supérieure 32 ayant : une première section cylindrique 321 et une seconde section cylindrique 322 qui se présentent sous forme cylindrique apte à entourer un substrat W maintenu dans une partie de maintien de substrat 10, la seconde section cylindrique 322 étant reliée à une partie supérieure de la première section cylindrique 321. De plus, le dispositif de traitement de substrat 1 est pourvu d'une partie de déplacement de coupelle 36 qui déplace la partie de coupelle supérieure 32 dans la direction verticale et arrête ainsi la partie de coupelle supérieure 32 à une position à laquelle la première section cylindrique 321 entoure le substrat W et une position à laquelle la seconde section cylindrique 322 entoure le substrat W.
(JA) カップに付着した異物が基板に再付着することを低減する技術を提供する。基板処理装置1は、基板保持部10に保持された基板Wを取り囲み可能な筒状に形成された第1筒状部321および第2筒状部322を有し、第2筒状部322が第1筒状部321の上側に連結されている上カップ部32を有する。また、基板処理装置1は、上カップ部32を鉛直方向に移動させることによって、上カップ部32を、第1筒状部321が基板Wを囲む位置、および、第2筒状部322が基板Wを囲む位置の各々に停止させるカップ移動部36を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)