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1. (WO2018146579) 光電変換素子、撮像装置、電子機器及び光電変換素子の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/146579    International Application No.:    PCT/IB2018/050578
Publication Date: Fri Aug 17 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Feb 01 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 31/107
H01L 21/20
H01L 27/146
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: YAMAUCHI, Ryo
山内諒
KAWATA, Takuya
川田琢也
OOTA, Masashi
太田将志
KATAISHI, Riho
堅石李甫
Title: 光電変換素子、撮像装置、電子機器及び光電変換素子の作製方法
Abstract:
膜剥がれ領域が少なく、均一な結晶セレンを有する光電変換素子を提供する。 第1の電極(411)と、第2の電極(415)と、第1の電極(411)及び第2の電極(415)の間に設けられる光電変換層(413)とを有し、光電変換層(413)はセレン及び元素Xを有し、元素Xは銀又はビスマスから選ばれる一以上であり、光電変換層(413)は、セレンの原子数に対する元素Xの原子数の比(XZSe)が0.0010以上0.70以下の領域を有する光電変換素子とする。