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1. (WO2018146569) 半導体装置、及び半導体装置の作製方法

Pub. No.:    WO/2018/146569    International Application No.:    PCT/IB2018/050471
Publication Date: Fri Aug 17 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 27 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 21/336
G09F 9/30
H01L 29/786
H01L 51/50
H05B 33/10
H05B 33/14
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
株式会社半導体エネルギー研究所
Inventors: NAKAZAWA, Yasutaka
中澤安孝
SHIMA, Yukinori
島行徳
OKAZAKI, Kenichi
岡崎健一
KOEZUKA, Junichi
肥塚純一
YAMAZAKI, Shunpei
山崎舜平
Title: 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
Abstract:
要約書 電気特性の良好な半導体装置を提供する。 生産性の高い半導体装置の作製方法を提供する。 歩留りの 高い半導体装置の作製方法を提供する。 半導体装置の作製方法は、 シリコンと窒素を含む第1の絶縁層を形成する第1の工程と、 第1の絶縁 層の表面近傍に酸素を添加する第2の工程と、第1の絶縁層上に接して金属酸化物を含む半導体層を 形成する第3の工程と、 半導体層上に接して酸素を含む第2の絶縁層を形成する第4の工程と、 酸素 を含む雰囲気であり、且つ第1の温度でプラズマ処理を行う第5の工程と、酸素を含む雰囲気であり、 且つ第1の温度よりも低い第2の温度でプラズマ処理を行う第6の工程と、第2の絶縁層上にシリコ ンと窒素を含む第3の絶縁層を形成する第7の工程と、を含む。