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1. (WO2018143429) 電力用半導体モジュールおよび電力変換装置
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国際公開番号: WO/2018/143429 国際出願番号: PCT/JP2018/003658
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 02.02.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
堀口 剛司 HORIGUCHI, Takeshi; JP
宮崎 裕二 MIYAZAKI, Yuji; JP
柳本 辰則 YANAGIMOTO, Tatsunori; JP
代理人:
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-01920606.02.2017JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体モジュールおよび電力変換装置
要約:
(EN) A compact power semiconductor module and a power conversion device capable of suppressing ringing are provided. The power semiconductor module comprises: a positive electrode-side switching element (16P) and a positive electrode-side freewheeling diode (17P), which are positive electrode-side power semiconductor elements; a negative electrode-side switching element (16N) and a negative electrode-side freewheeling diode (17N), which are negative electrode-side power semiconductor elements; a positive electrode conductor pattern (3a); a negative electrode conductor pattern (3b); an alternating current electrode pattern (3c); and a snubber substrate comprising an insulating substrate (8) on which a snubber circuit is formed. The snubber substrate includes the insulating substrate (8), and at least one snubber circuit disposed on the insulating substrate (8). The snubber substrate is disposed on at least any one of the positive electrode conductor pattern (3a), the negative electrode conductor pattern (3b), and the alternating current electrode pattern (3c).
(FR) L'invention concerne un module semiconducteur de puissance compact et un dispositif de conversion de puissance capables de supprimer la suroscillation. Le module semiconducteur de puissance comprend : un élément de commutation côté électrode positive (16P) et une diode de roue libre côté électrode positive (17P), qui sont des éléments semiconducteurs de puissance côté électrode positive ; un élément de commutation côté électrode négative (16N) et une diode de roue libre côté électrode négative (17N), qui sont des éléments semiconducteurs de puissance côté électrode négative ; un motif conducteur d'électrode positive (3a) ; un motif conducteur d'électrode négative (3b) ; un motif d'électrode à courant alternatif (3c) ; et un substrat d'amortissement comprenant un substrat isolant (8) sur lequel est formé un circuit d'amortissement. Le substrat d'amortissement comprend le substrat isolant (8), et au moins un circuit d'amortissement disposé sur le substrat isolant (8). Le substrat d'amortissement est disposé sur au moins l'un quelconque du motif conducteur d'électrode positive (3a), du motif conducteur d'électrode négative (3b) et du motif d'électrode à courant alternatif (3c).
(JA) リンギングを抑制することが可能な、小型の電力用半導体モジュールおよび電力変換装置を提供する。電力用半導体モジュールは、正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子(16P)および正極側還流ダイオード(17P)と、負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子(16N)および負極側還流ダイオード(17N)と、正極導体パターン(3a)と、負極導体パターン(3b)と、交流電極パターン(3c)と、スナバ回路が形成された絶縁基板(8)からなるスナバ基板とを備える。スナバ基板は、絶縁基板(8)と、当該絶縁基板(8)に配置された少なくとも1つのスナバ回路とを含む。スナバ基板は正極導体パターン(3a)と負極導体パターン(3b)と交流電極パターン(3c)との少なくともいずれか1つ上に配置される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)