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1. (WO2018143359) ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
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国際公開番号: WO/2018/143359 国際出願番号: PCT/JP2018/003449
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 01.02.2018
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 5-1, Nihonbashi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1036119, JP
発明者:
西田 登喜雄 NISHITA, Tokio; JP
後藤 裕一 GOTO, Yuichi; JP
坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru; JP
孫 軍 SON, Gun; JP
代理人:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2017-01893803.02.2017JP
発明の名称: (EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION INCLUDING POLYMER HAVING STRUCTURE UNIT HAVING UREA BOND
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSERVE COMPRENANT UN POLYMÈRE AYANT UNE UNITÉ DE STRUCTURE AYANT UNE LIAISON URÉE
(JA) ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
要約:
(EN) [Problem] The purpose of the present invention is to provide: a resist underlayer film forming composition having greatly improved crosslinking ability over conventional compositions; and a resist underlayer film forming composition that crosslinks with a component of a resist material in order to improve adhesion between a resist underlayer film and a resist pattern. [Solution] This resist underlayer film forming composition for lithography includes: a copolymer that has a structure unit represented by formula (1) and a structure unit represented by formula (2); a crosslinking agent; an organic acid catalyst; and a solvent (in the formulae, each R1 independently represents a hydrogen atom or a methyl group, each R2 independently represents an alkylene group having 1-3 carbon atoms, R3 represents a single bond or a methylene group, A represents a linear, branched, or cyclic aliphatic group having 1-12 carbon atoms and optionally having a substituent, or an aromatic or heterocyclic group having 6-16 carbon atoms and optionally having a substituent, and Pr represents a protecting group).
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : une composition de formation de film de sous-couche de réserve ayant une capacité de réticulation considérablement améliorée par rapport aux compositions classiques; et une composition de formation de film de sous-couche de réserve qui se réticule avec un composant d'un matériau de réserve afin d'améliorer l'adhérence entre un film de sous-couche de réserve et un motif de réserve. La solution selon l'invention porte sur une composition de formation de film de sous-couche de réserve pour lithographie, laquelle composition comprend : un copolymère qui a une unité de structure représentée par la formule (1) et une unité de structure représentée par la formule (2); un agent de réticulation; un catalyseur d'acide organique; et un solvant (dans les formules, chaque R1 représente indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe méthyle, chaque R2 représente indépendamment un groupe alkylène ayant 1 à 3 atomes de carbone, R3 représente une liaison simple ou un groupe méthylène, A représente un groupe linéaire, ramifié ou cyclique ayant 1 à 12 atomes de carbone et ayant facultativement un substituant, ou un groupe aromatique ou hétérocyclique ayant 6 à 16 atomes de carbone et ayant facultativement un substituant, et Pr représente un groupe de protection).
(JA) 【課題】 従来よりも架橋性を飛躍的に向上させたレジスト下層膜形成組成物を提供すること、さらに、レジスト下層膜とレジストパターンとの密着性を改善するためレジスト材料の成分と架橋するレジスト下層膜形成組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】 下記式(1)で表される構造単位及び下記式(2)で表される構造単位を有する共重合体、架橋剤、有機酸触媒及び溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。 (式中、Rはそれぞれ独立に水素原子又はメチル基を表し、Rはそれぞれ独立に炭素原子数1乃至3のアルキレン基を表し、Rは単結合又はメチレン基を表し、Aは置換基を有してもよい炭素原子数1乃至12の直鎖状の、分岐鎖状の、もしくは環状構造を有する脂肪族基、又は置換基を有してもよい炭素原子数6乃至16の芳香族基もしくは複素環基を表し、Prは保護基を表す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)