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1. (WO2018143344) 半導体製造方法および半導体製造装置
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国際公開番号: WO/2018/143344 国際出願番号: PCT/JP2018/003408
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 01.02.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
36
冷却または加熱を容易にするための材料の選択または成形,例.ヒート・シンク
373
装置用材料の選択により容易になる冷却
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
仲村 恵右 NAKAMURA, Keisuke; JP
吹田 宗義 SUITA, Muneyoshi; JP
今井 章文 IMAI, Akifumi; JP
倉橋 健一郎 KURAHASHI, Kenichiro; JP
品川 友宏 SHINAGAWA, Tomohiro; JP
松田 喬 MATSUDA, Takashi; JP
吉嗣 晃治 YOSHITSUGU, Koji; JP
柳生 栄治 YAGYU, Eiji; JP
西村 邦彦 NISHIMURA, Kunihiko; JP
代理人:
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
上田 俊一 UEDA, Shunichi; JP
優先権情報:
2017-01735202.02.2017JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体製造方法および半導体製造装置
要約:
(EN) Provided is a semiconductor manufacturing device that can reduce the occurrence of damage to a diamond substrate during chemical bonding of the diamond substrate to a semiconductor substrate. The present invention is provided with: a lower substrate support stage for supporting the diamond substrate; an upper substrate support stage for supporting the semiconductor substrate; a support stage driver unit for moving the lower substrate support stage and the upper substrate support stage and causing the diamond substrate and the semiconductor substrate to be adhered to each other while pressure is applied in the thickness direction; and a second mechanism part that deforms the surface of the upper substrate support stage facing the lower substrate support stage such that the surface of the semiconductor substrate facing the diamond substrate is a parallel curved surface or a parallel surface with respect to the surface of the diamond substrate facing the semiconductor substrate.
(FR) L'invention concerne un dispositif de fabrication de semiconducteur qui peut réduire l'apparition de dommages à un substrat de diamant pendant la liaison chimique du substrat de diamant à un substrat semiconducteur. La présente invention comprend : un étage de support de substrat inférieur pour supporter le substrat de diamant; un étage de support de substrat supérieur pour supporter le substrat semiconducteur; une unité d'entrainement d'étage de support pour déplacer l'étage de support de substrat inférieur et l'étage de support de substrat supérieur et amener le substrat de diamant et le substrat semiconducteur à être collés l'un à l'autre pendant qu'une pression est appliquée dans le sens de l'épaisseur; et une seconde partie de mécanisme qui déforme la surface de l'étage de support de substrat supérieur faisant face à l'étage de support de substrat inférieur de telle sorte que la surface du substrat semiconducteur faisant face au substrat de diamant est une surface incurvée parallèle ou une surface parallèle par rapport à la surface du substrat de diamant faisant face au substrat semiconducteur.
(JA) ダイヤモンド基板と半導体基板とを化学的に結合させる際にダイヤモンド基板に破損が生じることを低減させることができる半導体製造装置を得る。ダイヤモンド基板を支持する下部基板支持台と、半導体基板を支持する上部基板支持台と、下部基板支持台および上部基板支持台を移動させて、ダイヤモンド基板と半導体基板とを厚さ方向について圧力が加えられた状態で密着させる支持台駆動部と、上部基板支持台における下部基板支持台に対向する面を、半導体基板におけるダイヤモンド基板に対向する面がダイヤモンド基板における半導体基板に対向する面に対して平行曲面または平行面となるように変形させる第2機構部とを備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)