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1. (WO2018143206) 成膜方法
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国際公開番号: WO/2018/143206 国際出願番号: PCT/JP2018/002995
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 30.01.2018
IPC:
C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/22 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
出願人:
学校法人東海大学 TOKAI UNIVERSITY EDUCATIONAL SYSTEM [JP/JP]; 東京都渋谷区富ヶ谷二丁目28番4号 28-4, Tomigaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510063, JP
ファインクリスタル株式会社 FINE CRYSTAL CO., LTD. [JP/JP]; 北海道室蘭市茶津町9番地1 9-1, Chatsu-machi, Muroran-shi, Hokkaido 0518505, JP
株式会社シンクロン SHINCRON CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市西区みなとみらい四丁目3番5号 3-5, Minatomirai 4-chome, Nishi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2208680, JP
発明者:
室谷 裕志 MUROTANI, Hiroshi; JP
堀口 由紀夫 HORIGUCHI, Yukio; JP
菅原 卓哉 SUGAWARA, Takuya; JP
代理人:
とこしえ特許業務法人 TOKOSHIE PATENT FIRM; 東京都新宿区西新宿7丁目22番27号 西新宿KNビル Nishishinjuku KN Bldg., 22-27, Nishishinjuku 7-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600023, JP
優先権情報:
2017-01526631.01.2017JP
発明の名称: (EN) FILM-FORMATION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法
要約:
(EN) Provided is a film-formation method for a surface layer having high mechanical strength and a low refractive index. A step for depositing a vapor deposition material by vacuum deposition on the surface of a substrate (S) and a step for depositing a target constituent material by sputtering are repeated, thereby forming a film with a lower refractive index than that of a film-forming material.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de film destiné à une couche de surface ayant une résistance mécanique élevée et un faible indice de réfraction. Une étape de dépôt d'un matériau de dépôt en phase vapeur par dépôt sous vide sur la surface d'un substrat (S) et une étape de dépôt d'un matériau constitutif cible par pulvérisation cathodique sont répétées, formant ainsi un film ayant un indice de réfraction inférieur à celui d'un matériau filmogène.
(JA) 機械的強度が高く、屈折率が低い表面層の成膜方法を提供する。基板(S)の表面に、蒸着材料を真空蒸着法により成膜する工程と、ターゲット構成物質をスパッタリングにより成膜する工程とを繰り返し、成膜材料の屈折率より小さい屈折率の膜を形成する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)