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1. (WO2018143073) 結晶質酸化物半導体薄膜、積層体の製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子機器、車載用表示装置

Pub. No.:    WO/2018/143073    International Application No.:    PCT/JP2018/002432
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Jan 27 00:59:59 CET 2018
IPC: C23C 14/08
C04B 35/01
H01L 21/363
H01L 29/786
Applicants: IDEMITSU KOSAN CO.,LTD.
出光興産株式会社
Inventors: INOUE Kazuyoshi
井上 一吉
SHIBATA Masatoshi
柴田 雅敏
TSURUMA Yuki
霍間 勇輝
KAWASHIMA Emi
川嶋 絵美
TAKESHIMA Motohiro
竹嶋 基浩
Title: 結晶質酸化物半導体薄膜、積層体の製造方法、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子機器、車載用表示装置
Abstract:
酸化インジウムを主成分とし、単一の結晶方位を有する表面結晶粒子を含み、バンドギャップが3.90eV以上である、結晶質酸化物半導体薄膜。