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1. (WO2018143054) 荷電粒子検出器及び荷電粒子線装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/143054 国際出願番号: PCT/JP2018/002319
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 25.01.2018
IPC:
H01J 37/244 (2006.01) ,G01N 23/2258 (2018.01) ,G01T 1/20 (2006.01) ,G21K 4/00 (2006.01) ,H01J 37/28 (2006.01) ,H01J 49/02 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION[JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者: IMAMURA Shin; JP
OHSHIMA Takashi; JP
TSUCHIYA Tomonobu; JP
KAWANO Hajime; JP
HOQUE Shahedul; JP
MIZUTANI Shunsuke; JP
SUZUKI Makoto; JP
代理人: HIRAKI & ASSOCIATES; Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
優先権情報:
2017-01497831.01.2017JP
発明の名称: (EN) CHARGED PARTICLE DETECTOR AND CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DÉTECTEUR DE PARTICULES CHARGÉES ET DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子検出器及び荷電粒子線装置
要約: front page image
(EN) The present invention provides a charged particle detector comprising a scintillator for obtaining high light emission intensity while emitting light of a stable intensity, without using energy of incident electrons. The present invention proposes a charged particle detector comprising: a first light-emitting part (21) for which are alternately laminated a layer containing Ga1–x–yAlxInyN (where 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) and a layer containing GaN; a second light-emitting part (23) for which are alternately laminated a layer containing Ga1–x–yAlxInyN (where 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) and a layer containing GaN; and a non-light-emitting part (22) interposed between the first light-emitting part and the second light-emitting part (see fig. 2).
(FR) La présente invention concerne un détecteur de particules chargées comprenant un scintillateur pour obtenir une intensité d'émission de lumière élevée tout en émettant de la lumière d'une intensité stable, sans utiliser d'énergie d'électrons incidents. La présente invention propose un détecteur de particules chargées comprenant : une première partie électroluminescente (21) pour laquelle sont stratifiées en alternance une couche contenant Ga1–x–yAlxInyN (où 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) et une couche contenant du GaN; une seconde partie électroluminescente (23) pour laquelle sont stratifiées en alternance une couche contenant Ga1–x–yAlxInyN (où 0 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 1) et une couche contenant du GaN; et une partie non électroluminescente (22) interposée entre la première partie d'émission de lumière et la seconde partie d'émission de lumière (voir figure 2).
(JA) 本開示は、入射電子のエネルギーによらず、安定した強度で発光しつつ、高い発光強度を得るシンチレータを備えた荷電粒子検出器を提供する。本開示は、Ga1-x-yAlInN(但し0≦x<1、0≦y<1)を含む層と、GaNを含む層が交互に積層された第1の発光部(21)と、Ga1-x-yAlInN(但し0≦x<1、0≦y<1)を含む層と、GaNを含む層が交互に積層された第2の発光部(23)と、当該第1の発光部と第2の発光部との間に介在する非発光部(22)とを備えた荷電粒子検出器を提案する(図2参照)。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)