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1. (WO2018142976) CSP型半導体デバイスおよびその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/142976 国際出願番号: PCT/JP2018/001700
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 22.01.2018
IPC:
H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
出願人:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
発明者:
坂井 宣夫 SAKAI Nobuo; JP
代理人:
特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 大阪府大阪市中央区農人橋1丁目4番34号 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011, JP
優先権情報:
2017-01700501.02.2017JP
発明の名称: (EN) CSP-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR DE TYPE CSP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) CSP型半導体デバイスおよびその製造方法
要約:
(EN) A CSP-type semiconductor device (101) has a semiconductor substrate (1), a rewiring layer (2), and a protection film (3). The semiconductor substrate (1) has a first surface (S1), and a side surface (S31) orthogonal to the first surface (S1), and a functional element (10) is formed on the first surface (S1). The rewiring layer (2) is formed on the whole surface on the first surface (S1) of the semiconductor substrate (1), has a side surface (S32) continuous from the side surface (S31) of the semiconductor substrate (1), and includes wiring patterns (21A, 21B) connected to the functional element (10). The protection film (3) is formed of a fluorocarbon polymer film that is continuously formed from the side surface (S32) of the rewiring layer (2) to the side surface (S31) of the semiconductor substrate (1).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semiconducteur de type CSP (101) comprenant un substrat semiconducteur (1), une couche de recâblage (2), et un film de protection (3). Le substrat semiconducteur (1) a une première surface (S1), et une surface latérale (S31) orthogonale à la première surface (S1), et un élément fonctionnel (10) est formé sur la première surface (S1). La couche de recâblage (2) est formée sur toute la surface sur la première surface (S1) du substrat semiconducteur (1), comporte une surface latérale (S32) continue à partir de la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1), et comprend des motifs de câblage (21A, 21B) connectés à l'élément fonctionnel (10). Le film de protection (3) est formé d'un film polymère de fluorocarbone qui est formé en continu à partir de la surface latérale (S32) de la couche de recâblage (2) jusqu'à la surface latérale (S31) du substrat semiconducteur (1).
(JA) CSP型半導体デバイス(101)は、半導体基板(1)、再配線層(2)および保護膜(3)を有する。半導体基板(1)は第1面(S1)およびこの第1面(S1)に直交する側面(S31)を有し、第1面(S1)に機能素子(10)が形成されている。再配線層(2)は、半導体基板(1)の第1面(S1)上の全面に形成され、半導体基板(1)の側面(S31)から連続する側面(S32)を有し、機能素子(10)に接続された配線パターン(21A,21B)を含む。保護膜(3)は、再配線層(2)の側面(S32)から半導体基板(1)の側面(S31)にかけて連続的に形成されたフルオロカーボン重合膜により形成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)