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1. (WO2018142870) 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/142870    International Application No.:    PCT/JP2018/000479
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jan 12 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 33/32
H01L 21/205
Applicants: NIKKISO CO., LTD.
日機装株式会社
Inventors: MATSUKURA Yusuke
松倉 勇介
PERNOT Cyril
ペルノ シリル
Title: 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
Abstract:
半導体発光素子は、シリコン(Si)を含むn型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料のn型クラッド層24と、n型クラッド層24上に設けられ、Siを含む中間層25と、中間層25上に設けられるAlGaN系半導体材料の活性層26と、活性層26上に設けられるp型半導体層と、を備える。n型クラッド層24、中間層25および活性層26が積層される方向のSi濃度の分布が中間層25の位置に少なくとも局所的なピークを有する。