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1. (WO2018142840) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
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国際公開番号: WO/2018/142840 国際出願番号: PCT/JP2018/000025
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 04.01.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01) ,G03F 7/38 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
38
画像様除去前の処理,例.予熱
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
野上 剛 NOGAMI, Tsuyoshi; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
亀谷 美明 KAMEYA, Yoshiaki; JP
萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi; JP
優先権情報:
2017-01643301.02.2017JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SUPPORT D'ENREGISTREMENT INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
要約:
(EN) In this substrate treatment method: substrate temperatures are measured over time in a plurality of heat treatment devices used for heat treatment so as to calculate differences in substrate temperature between the respective heat treatment devices; after formation of a resist pattern on the substrate, measurement is taken of the dimensions of the resist pattern; calculations are performed to determine differences in resist pattern dimensions between the respective heat treatment devices; a reaction speed used for converting a substrate temperature into resist pattern dimensions is calculated using the differences in substrate temperature and the differences in resist pattern dimensions; and a reaction model is derived that is a function of time with respect to said reaction speed. In order to derive the reaction model, the reaction speed at initiation and termination of the heat treatment is set to zero, and an optimization problem for the reaction mode is solved by determining an evaluation function such that the reaction speed becomes continuous in the time direction and that a sum of products between the substrate temperature differences and the reaction model approaches the differences in resist pattern dimensions. By using said reaction model, a treatment condition for the substrate treatment is set.
(FR) Selon la présente invention, dans ce procédé de traitement de substrat : des températures de substrat sont mesurées dans le temps sur une pluralité de dispositifs de traitement thermique utilisés pour un traitement thermique de façon à calculer des différences de température de substrat entre les dispositifs de traitement thermique respectifs; après la formation d'un motif de réserve sur le substrat, une mesure est prise des dimensions du motif de réserve; des calculs sont effectués pour déterminer des différences de dimensions de motif de réserve entre les dispositifs de traitement thermique respectifs; une vitesse de réaction servant à convertir une température de substrat en dimensions de motif de réserve est calculée à l'aide des différences de température de substrat et des différences de dimensions de motif de réserve; et un modèle de réaction est dérivé qui est une fonction du temps par rapport à ladite vitesse de réaction. Afin de dériver le modèle de réaction, la vitesse de réaction au début et à la fin du traitement thermique est réglée à zéro, et un problème d'optimisation lié au mode de réaction est résolu par détermination d'une fonction d'évaluation de telle sorte que la vitesse de réaction devienne continue dans la direction du temps et qu'une somme de produits entre les différences de température de substrat et le modèle de réaction avoisine les différences de dimensions de motif de réserve. En utilisant ledit modèle de réaction, une condition de traitement destinée au traitement de substrat est réglée.
(JA) 基板処理方法は、熱処理を行う複数の熱処理装置において基板温度を経時的に測定して熱処理装置間における基板温度の差を算出し、基板上にレジストパターンを形成後、レジストパターン寸法を測定し、熱処理装置間におけるレジストパターン寸法の差を算出し、基板温度差とレジストパターン寸法差を用いて、基板温度をレジストパターン寸法に変換するための反応速度を算出し、当該反応速度についての時間の関数である反応モデルを導出し、導出するにあたり、熱処理開始時及び熱処理終了時の反応速度をゼロとし、反応速度が時間方向に連続し、且つ基板温度差と反応モデルの積和がレジストパターン寸法の差に近くなるように、評価関数を定めて反応モデルについての最適化問題を解いて、当該反応モデルを決定し、当該反応モデルを用いて基板処理の処理条件を設定する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)