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1. (WO2018142788) リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法

Pub. No.:    WO/2018/142788    International Application No.:    PCT/JP2017/045443
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Dec 20 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/24
C23C 16/44
H01L 21/683
Applicants: SUMCO CORPORATION
株式会社SUMCO
Inventors: SAKURAI Masaya
櫻井 雅哉
Title: リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
Abstract:
リフトピンによるシリコンウェーハ裏面の疵付きを回避するとともに、該リフトピンがサセプタの貫通孔周りの壁面と摺れ合うことによる発塵を抑制することができ、さらにガラス状カーボンの剥離を防止することのできる、エピタキシャル成長装置用のリフトピンを提供する。 本発明によるリフトピンは、サセプタの貫通孔内に挿通するための直胴部と、シリコンウェーハに当接するための頭部と、前記頭部の頂部を少なくとも被覆する被覆部と、を有し、前記直胴部および前記頭部は、多孔質体からなり、前記被覆部は炭素系被覆材からなり、前記被覆部が、前記頭部における前記多孔質SiCの空隙の少なくとも一部を充填する。