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1. (WO2018142720) 配線構造の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/142720 国際出願番号: PCT/JP2017/041137
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 15.11.2017
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01) ,C23C 2/08 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/14 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205
絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
2
形状に影響を及ぼすことのない溶融状態にある被覆材料の適用による溶融メッキまたは溶融浸漬法;そのための装置
04
被覆材料に特徴があるもの
08
すずまたはすず基合金
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
12
マウント,例.分離できない絶縁基板
14
材料またはその電気特性に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
出願人:
住友精密工業株式会社 SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 1-10, Fuso-cho, Amagasaki-shi, Hyogo 6600891, JP
発明者:
山口 征隆 YAMAGUCHI Yukitaka; JP
代理人:
特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS; 大阪府大阪市北区堂島浜1丁目2番1号 新ダイビル23階 Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004, JP
優先権情報:
2017-01541331.01.2017JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING WIRING STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE CÂBLAGE
(JA) 配線構造の製造方法
要約:
(EN) The method for manufacturing a wiring structure according to the present invention comprises the steps for: preparing a substrate (10) having a wiring layer (13) formed on the surface thereof with an insulating layer (11) interposed therebetween; etching the back surface of the substrate to form a via (20) that passes through an insulating layer and has a bottom section where the underlying wiring layer is positioned; forming a first metal layer (15) and a second metal layer (16) on the wiring layer at the bottom section of the via; and filling the via with a Sn-based molten metal 17, wherein the wiring layer is made of Al, Al alloy or Cu, the first metal layer is made of a material to be alloyed with the Sn-based molten metal, and the second metal layer is made of a material that prevents oxidation of the first metal layer
(FR) Selon la présente invention, un procédé de fabrication d'une structure de câblage comprend les étapes suivantes consistant à : préparer un substrat (10) sur la surface duquel a été formée une couche de câblage (13), une couche isolante (11) étant interposée entre ceux-ci ; graver la surface arrière du substrat pour former un trou d'interconnexion (20) qui passe à travers la couche isolante et présente une section inférieure à l'endroit où la couche de câblage sous-jacente est positionnée ; former une première couche métallique (15) et une seconde couche métallique (16) sur la couche de câblage au niveau de la section inférieure du trou d'interconnexion ; et remplir le trou d'interconnexion avec un métal fondu à base de Sn 17, la couche de câblage étant constituée d'Al, d'alliage d'Al ou de Cu, la première couche métallique étant constituée d'un matériau à allier avec le métal fondu à base de Sn, et la seconde couche métallique étant constituée d'un matériau qui empêche l'oxydation de la première couche métallique.
(JA) 本発明の配線構造の製造方法は、表面に絶縁層(11)を介して配線層(13)が形成された基板(10)を用意する工程と、基板の裏面をエッチングして、絶縁層を貫通し下方に配線層が位置する底部を有するビア(20)を形成する工程と、ビアの底部において、配線層上に第1金属層(15)及び第2金属層(16)を形成する工程と、ビア内にSn系溶融金属17を充填する工程とを備え、配線層は、Al、Al合金、またはCuからなり、第1金属層は、Sn系溶融金属と合金化する材料からなり、第2金属層は、第1金属層の酸化を防止する材料からなる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)