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1. (WO2018142668) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/142668 国際出願番号: PCT/JP2017/035918
国際公開日: 09.08.2018 国際出願日: 03.10.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
発明者: WADA, Keiji; JP
HORI, Tsutomu; JP
ITOH, Hironori; JP
代理人: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
優先権情報:
2017-01550131.01.2017JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) The defect that satisfies the relationships in formula 1 and formula 2 is taken as a first defect, where θ° is the off angle, W µm is the thickness of a silicon carbide layer in the direction perpendicular to a second main surface, L µm is the width of a defect in the direction in which the direction parallel to the off direction is projected on the second main surface, and Y µm is the width of a defect in the direction perpendicular to the off direction and parallel to the second main surface. A defect that satisfies the relationships in formula 3 and formula 2 is taken as a second defect. The value when the number of second defects is divided by the total of the number of first defects and the number of second defects is greater than 0.5.
(FR) Le défaut qui satisfait aux relations dans la formule 1 et la formule 2 est pris en tant que premier défaut, θ° étant l'angle d'arrêt, W µm étant l'épaisseur d'une couche de carbure de silicium dans la direction perpendiculaire à une seconde surface principale, L µm étant la largeur d'un défaut dans la direction dans laquelle la direction parallèle à la direction d'arrêt est projetée sur la seconde surface principale, et Y µm étant la largeur d'un défaut dans la direction perpendiculaire à la direction d'arrêt et parallèle à la seconde surface principale. Un défaut qui satisfait aux relations dans la formule 3 et la formule 2 est pris en tant que second défaut. La valeur lorsque le nombre de seconds défauts est divisé par le total du nombre de premiers défauts et du nombre de seconds défauts est supérieure à 0,5.
(JA) オフ角をθ°とし、第2主面に垂直な方向における炭化珪素層の厚みをWμmとし、オフ方向に対して平行な方向を第2主面に投影した方向における欠陥の幅をLμmとし、オフ方向に対して垂直であってかつ第2主面に対して平行な方向における欠陥の幅をYμmとした場合において、式1および式2の関係を満たす欠陥を第1欠陥とする。式3および式2の関係を満たす欠陥を第2欠陥とする。第2欠陥の数を、第1欠陥の数と第2欠陥の数との合計で除した値は、0.5よりも大きい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)