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1. (WO2018142668) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/142668    International Application No.:    PCT/JP2017/035918
Publication Date: Fri Aug 10 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Oct 04 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/205
H01L 21/20
H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: WADA, Keiji
和田 圭司
HORI, Tsutomu
堀 勉
ITOH, Hironori
伊東 洋典
Title: 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abstract:
オフ角をθ°とし、第2主面に垂直な方向における炭化珪素層の厚みをWμmとし、オフ方向に対して平行な方向を第2主面に投影した方向における欠陥の幅をLμmとし、オフ方向に対して垂直であってかつ第2主面に対して平行な方向における欠陥の幅をYμmとした場合において、式1および式2の関係を満たす欠陥を第1欠陥とする。式3および式2の関係を満たす欠陥を第2欠陥とする。第2欠陥の数を、第1欠陥の数と第2欠陥の数との合計で除した値は、0.5よりも大きい。